】文章介绍了电路设计仿真软件Mulfisim2001的功能及特点,以及结合该软件对高频调谐放大电路的 几项主要质量指标进行了仿真分析。
资源简介:为了实时检测血氧量,能使缺氧特别敏感的脑组织或心脏类疾病患者得到及时治疗,采用近红外双波长透射式光电脉搏血氧测定法,以H桥电路对发射光源进行控制及通用运算放大器搭建滤波电路。运用参数理论计算和计算机仿真结果相对比的方法,通过Mu ltiSim软件对所设计...
上传时间: 2022-05-12
上传用户:lijumiao
资源简介:Mu仓库编辑器 (转发)
上传时间: 2015-02-07
上传用户:zhuoying119
资源简介:Mu方式传真编程的源码
上传时间: 2013-12-06
上传用户:懒龙1988
资源简介:A-Law and Mu-Law Companding Implementations Using the TMS320C54x
上传时间: 2013-12-25
上传用户:lijinchuan
资源简介:该代码实现了A率和Mu率PCM算法,有详细的注释说明,
上传时间: 2015-07-11
上传用户:xlcky
资源简介:c实现的A律/Mu律pcm编译码算法 只需要根据不同的需要更改输入数据即可
上传时间: 2014-08-09
上传用户:VRMMO
资源简介:Speech Quantization_Compare SNRs of speech cs5 with Mu-law companding and uniform quantization
上传时间: 2014-08-08
上传用户:xinzhch
资源简介:网络游戏私服架设录像+乐都奇迹(Mu)服务端,有兴趣的朋友可以自己架着玩一玩
上传时间: 2014-11-17
上传用户:waizhang
资源简介:自己写的用Matlab模拟一个缓冲区大小(包括正在服务的那个)为10的随机排队系统。 (1)到达过程是的泊松过程(到达速率为Mu),服务时间服从独立指数分布(均值为1/Lamda)。 对Mu//Lamda=0.2,Mu//Lamda=0.8和Mu//Lamda=1.1三种情况进行仿真,求出队列中...
上传时间: 2013-11-25
上传用户:llandlu
资源简介:shi yi ge bu cuo de bi ye she ji ti Mu
上传时间: 2013-12-14
上传用户:wang0123456789
资源简介:Waterfilling algorithm (from [Palomar and Fonollosa, Trans-SP2004]) to compute: pi = (Mu*ai - bi)^+ sum(pi) = Pt By Daniel Perez Palomar (last revision: May 10, 2004).
上传时间: 2014-01-10
上传用户:liansi
资源简介:从应用角度介绍了ADSP21160 DSP 芯片的基本性能, 并用ADSP21160 实现了基本的阵列信号测向算法- Mu S IC 算法1 着重讨论了如何利用ADSP21160 的结构和开发环境来提高程序的执行效率, 满足系统设计的要求。 关键词: SHARC DSP 阵列信号处理 Mu S IC 测向算法
上传时间: 2014-01-07
上传用户:lht618
资源简介:奇迹 Mu 客户端 main 97 b补丁,未跳np
上传时间: 2016-10-15
上传用户:sxdtlqqjl
资源简介:Mu窗口化源码VC
上传时间: 2014-01-06
上传用户:xinzhch
资源简介:pcm编码 有关线性、A律、Mu律的pcm编码的matlab实现
上传时间: 2013-12-29
上传用户:frank1234
资源简介:基于Microchip ATSAMG55J19A-Mu ATWINC1500B 智能语音助手Alexa方案基于Microchip ATSAMG55J19A-Mu ATWINC1500B 智能语音助手Alexa方案
上传时间: 2022-01-01
上传用户:XuVshu
资源简介:基于CSMC的0.5 ΜmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容...
上传时间: 2013-11-04
上传用户:xlcky
资源简介:设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 Μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。
上传时间: 2013-11-10
上传用户:maricle
资源简介:设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术,具有单端输入差分输出的功能,能够同时实现输出平衡,噪声消除和非线性失真抵消,具有高的线性度。该电路采用TSMC 0.18 Μm工艺设计,芯片面积只有0.02 mm2。电源电压为...
上传时间: 2014-01-21
上传用户:kachleen
资源简介:介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、射频等高频模拟电路中。通过采用0.18 Μm工艺参数,进行Hspice仿真,结果表明:电流传输器电压跟随的线性范围为-1.04~1.15 V,电流跟随...
上传时间: 2014-06-20
上传用户:lvchengogo
资源简介:设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 ...
上传时间: 2014-12-23
上传用户:jiiszha
资源简介:为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 Μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M ...
上传时间: 2013-10-08
上传用户:小鹏
资源简介:采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 Μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广...
上传时间: 2014-12-23
上传用户:kangqiaoyibie
资源简介:The STM32F10xxx microcontroller family embeds up to three advanced 12-bit ADCs (depending on the device) with a conversion time down to 1 Μs. A self-calibration feature is provided to enhance ADC accuracy versus environmental condition cha...
上传时间: 2014-12-23
上传用户:eastimage
资源简介: 1,电路板插件,浸锡,切脚的方法 1.制板(往往找专门制板企业制作,图纸由自己提供)并清洁干净。 2.插横插、直插小件,如1/4W的电阻、电容、电感等等贴近电路板的小尺寸元器件。 3.插大、中等尺寸的元器件,如470Μ电解电容和火牛。 ...
上传时间: 2013-11-14
上传用户:asdfasdfd
资源简介:根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 Μm CMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系...
上传时间: 2014-01-08
上传用户:ecooo
资源简介:针对小电流接地故障诊断难的问题,设计了一个基于零序电流、零序电压的实时检测系统,对供电系统进行检测并对故障线路进行选线。采用了多任务、可移植、可裁剪的嵌入式操作系统ΜC/OS-II。为防止中性点带补偿系统对于故障线路的过补偿影响,系统还加入了补偿...
上传时间: 2014-01-18
上传用户:海陆空653
资源简介:电路如果存在不稳定性因素,就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点,运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO,电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺...
上传时间: 2014-12-23
上传用户:wangjin2945
资源简介:为了对电容重复频率且高能量转换效率地充电,开展了全桥串联谐振充电电源的理论设计。通过数值解析的方法获得谐振电感、电容、功率器件耐压与通流、电源功率、脉冲变压器伏秒数等参数,通过数值模拟的方法获得脉冲变压器励磁电感参数,以基于Pspice的全电路仿...
上传时间: 2013-11-08
上传用户:angle
资源简介:介绍一种基于CSMC0.5 Μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压...
上传时间: 2013-10-26
上传用户:thesk123