2.45GHz高线性功率放大器设计
本文基于SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺,以Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz 功率放大器的设计,仿真结果表明ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构,分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS 器件低击穿电压的限制...
本文基于SMIC 0.18um RF-CMOS 工艺,以Agilent-ADS 为仿真平台实现了一种工作于2.45GHz 功率放大器的设计,仿真结果表明ADS 软件在建模和仿真分析方面表现出很好的性能。电路采用两级放大的结构,分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS 器件低击穿电压的限制...
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠...
OFDM高功率放大器.供学习matlab的同学交流学习...
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