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核爆炸产生的电磁脉冲的"杀伤"范围极广,它可使距离爆心投影点几千公里的电气设备、电子装备和系统的工作失灵甚至破坏.为了研究它对单片机的各种效应,利用GTEM室产生的模拟核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验.实验表明,单片机系统在核电磁...
为研究强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应,在GTEM室内进行了辐照效应实验.实验表明,单片机系统在强电磁脉冲作用下,会出现"死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象.在实验基础上,对单片机系统的各种效应进行了深入研究.
为研究强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应,在GTEM室内进行了辐照效应实验.实验表明,单片机系统在强电磁脉冲作用下,会出现"死机"、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象.在实验基础上,对单片机系统的各种效应进行了深入研究.
核电磁脉冲（NEMP）、雷电电磁脉冲（LEMP）和高功率微波（HPM）等强电磁脉冲对单片机系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究它们对单片机系统的各种效应，利用GTEM室产生的核电磁脉冲，对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明，单片机系统在...
作为功率开关，VDMOS器件以其高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点，广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等功率集成电路和功率集成系统中，因此VDMOS在电力电子的应用中占有举足轻重的作用，对VD...
基于单粒子辐照的等离子体输运机理，提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析，获得了横向高压DMOS在双结、单结和
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大...