Quantum专精于研发电容式感应IC, 使用其专利所有之QProx™ 技术. QProx™ 为一革命性之技术, 采用电荷转移 (“QT”)感应方法, 结合高阶之数字信号处理运算.Quantum于1996年成立, 1997年发表第一批主要产品. 经由多年的经验累积目前产品线种类及数量持续增加中. 产品种类主要以QProx™ , QMatrix™ , QTouch™ , QStamp™ 以及 QLevel™ 等品牌来区分。
上传时间： 2016-07-30
上传用户：yph853211
电荷转移容性触摸按键传感器示例代码，这是基于C8051F的，很容易移植到其他平台！
上传时间： 2014-01-12
上传用户：lepoke
EMC定义电磁兼容性EMC（ElectroMagneTIcCompaTIbility），在国际电工委员会标准IEC对电磁兼容的定义为：系统或设备在所处的电磁环境中能正常工作，同时不会对其他系统和设备造成干扰。EMC：（ElectromagneTIccompaTIbility）电磁兼容性EMI：（Electromagneticinterference）电磁干扰EMI（ElectroMagneticInterference）：指设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值；EMS：（Electromagneticsusceptibility）电磁敏感度EMS（ElectroMagneticSusceptibility）：指器具对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度，即电磁敏感性。RE：（Radiatedemission）辐射骚扰（EMI）辐射骚扰：主要是指能量以电磁波的形式由源发射到空间，或能量以电磁波形式在空间传播的现象CE：（Conductedemission）传导骚扰（EMI）传导骚扰：传导干扰是指通过导电介质把一个电网络上的信号耦合（谐波干扰）到另一个电网络CS：（Conductedsusceptibility）传导骚扰抗扰度（EMS）传导骚扰抗扰度：指抵抗导电介质上干扰的一种能力RS：（Radiatedsusceptibility）射频电磁场辐射抗扰度（EMS）射频电磁场辐射抗扰度：指各种装置、设备或系统，在存在辐射的情况下，抵抗辐射的一种能力ESD：（Electrostaticdischarge）静电放电（EMS）静电放电：指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移EFT/B：（Electricalfasttransientburst）电快速瞬变脉冲群（EMS）电快速瞬变脉冲群：指数量有限且清晰可辨的脉冲序列或持续时间有限的振荡，脉冲群中的单个脉冲有特定的重复周期、电压幅值，上升时间，脉宽。
上传时间： 2021-11-07
上传用户：lipengxu
本BMS系统方案基于瑞萨的ISL78600汽车级（AEC-Q100）锂离子电池管理解决方案（BMS）专为满足下一代电动汽车应用的严格安全性，可靠性和性能要求而设计。我们的电池平衡和安全产品组合采用高度集成的ISL78600锂离子电池管理和安全监控IC，具有许多优点，可显着降低HEV / PHEV / EV电池组及其相关的电池管理成本系统。可监控多达12个串联电池。该部件提供准确的监控，电池平衡和广泛的系统诊断功能。包含三种电池平衡模式：手动平衡模式，定时平衡模式和自动平衡模式。当满足主机微控制器指定的电荷转移值时，自动平衡模式终止平衡功能。适用领域：微型汽车，高尔夫球车，场地车、物流车等电池节数少于48串的BMS一体机解决方案。能适用各类型锂离子电池：锰酸锂、三元、磷酸铁锂等；参考标准：QC/T897、GB28046。
标签： isl78600 模拟前端 afe bms 锂电池管理系统
上传时间： 2022-06-07
上传用户：蓝天小雨
1引言随着CCD技术的飞速发展，传统的时序发生器实现方法如单片机D口驱动法，EPROM动法，直接数字驱动法等，存在着调试困难、灵活性较差、驱动时钟频率低等缺点，已不能很好地满足CCD应用向高速化，小型化，智能化发展的需要。而可编程逻辑器件CPLD具有了集成度高、速度快、可靠性好及硬件电路易于编程实现等特点，可满足这些需要，而且其与VHDL语言的结合可以更好地解决上述问题，非常适合CCD驱动电路的设计。再加上可编程逻辑器件可以通过软件编程对其硬件的结构和工作方式进行重构，从而使得硬件的设计可以如同软件设计那样方便快捷，本文以东芝公司TCD1702C为例，阐述了利用CPLD技术，在分析其驱动时序关系的基础上，使用VHDL语言实现了CCD驱动的原理和方法。2线阵的工作原理及驱动时序分析TCD1702C为THOSHBA公司生产的一种有效像元数为7500的双沟道二相线阵CCD，其像敏单元尺寸为7um×7um×7um长宽高。中心距亦为7um.最佳工作频率IMHzTCD1702C的原理结构如图1所示。它包括：由存储电极光敏区和电荷转移电极转移栅组成的摄像机构，两个CCD移位寄存器，输出机构和补偿机构四个部分，如图1所示，
上传时间： 2022-06-23
上传用户：tqsun2008
CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方式存贮并以电荷转移的方式顺序输出，需要专用的工艺制程实现；CIS图像感光单元为光电二极管，可在通用CMOS集成电路工艺制程中实现，除此之外还可将图像处理电路集成，实现更高的集成度和更低的功耗。目前CCD几乎被日系厂商垄断，只有少数几个厂商例如索尼、夏普、松下、富士、东芝等掌握这种技术。CIS是90年代兴起的新技术，掌握该技术的公司较多，美国有OmniVision，Aptina；欧洲有ST；韩国的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，东芝等；中国台湾的晶像；大陆地区的比亚迪，格科微等公司。由于CCD技术出现早，相对成熟，前期占据了绝大部分的高端市场。早期CIS与CCD相比，仅功耗与成本优势明显，因此多用于手机，PCCamera等便携产品。随着CIS技术的不断进步，性能不断提升；而CCD技术提升空间有限，进步缓慢。目前CIS不仅占据几乎全部的便携设备市场，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市场，更是向CCD传统优势市场——监控市场发起冲击。下面就监控专用CIS与传统CCD进行综合对比。
上传时间： 2022-06-23
上传用户：ddk
基于电感或电荷泵的白光LED+驱动方案比较
上传时间： 2013-05-25
上传用户：eeworm
CCD电荷耦合器件应用技术
上传时间： 2013-07-04
上传用户：eeworm
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G --CCD电荷耦合器件应用技术-261页-6.0M.pdf
上传时间： 2013-07-14
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