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学术论文 高压变频器前侧逆变晶闸管自供电驱动系统研究与设计.rar
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶闸管驱动控制 ...
单片机编程 介电体超晶格的研究
介电体超晶格是一种新型的有序微结构材料。它具有通常均质材料所不具有的独特的优异性能，展现出重要的应用前景。本文介绍南京大学研究组关于介电体超晶格研究所取得的进展，如将多个独立的光参量过程集成于一块介电体超晶格之中获得了多波长激光的同时输出，研制成超晶格全固态三基色原型激光器，在介电体超晶格中将拉曼散 ...
经验 晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降 VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
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电源技术 抑制同步开关噪声的新颖电磁带隙结构
文中提出了一种应用于印刷电路板的新颖二维电磁带隙（MS-EBG）结构,其单位晶格由折线缝隙组合与正方形贴片桥接构成,以抑制同步开关噪声。结果表明,抑制深度为-30 dB时,与传统L-bridged EBG结构比较,新EBG结构的阻带宽度增加1.3 GHz,相对带宽提高了约10%,能够有效抑制0.6～5.9 GHz的同步开关噪声。
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电源技术 NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池 ...
单片机编程 基于modbus_RTU模式15入15出继电器工控板带掉电存储
1、该控制板是基于modbus协议RTU模式进行通讯，是一种工业标准协议，具有稳定性高，使用广泛，从而可以兼容其他设备 2、三十路带光电隔离输出控制继电器。 3、标准的11.0592M晶振。（便于设置串口波特率） 4、具有上电复位和手动复位。 5、支持51系列DIP40封装单片机。 ...
其他 TTP233D系列单通道触控芯片 台湾通泰永嘉微电优势代理
产品型号：TTP232-CA6 
产品品牌：TONTEK/通泰
封装形式：SOT23-6
产品年份：新年份
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技术资料 永嘉微电优势出货ht16c21RAM映射20×416×8LCD驱动控制器
永嘉微电科技优势产品——高抗干扰LCD驱动IC系列（HT16C21、HT16C22、HT16C23、HT16C24）
 
产品型号：HT16C21           产品品牌：HOLTEK/合泰
产品年份：新年份          封装形式：NSOP16/SOP20/SOP2 ...
技术资料 宏晶 STC15F2K60S2开发板配套软件源码 基础例程30例
宏晶 STC15F2K60S2开发板配套软件源码 基础例程30例/**********************基于STC15F2K60S2系列单片机C语言编程实现使用如下头文件，不用另外再包含"REG51.H"#include <STC15F2K60S2.h>***********************/#include "STC15F2K60S2.H"//#include "REG51.H"&nbsp;//sfr P4&nbsp; &nbsp;= 0xC0;#define&nbsp; uint unsi ...
课件教程 电控发动机教程(国优课件) PPT版
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