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易失性存储器

  • EEPROM飞易失性存储器24c02读写编程 C语言(已通过测试)

    EEPROM飞易失性存储器24c02读写编程 C语言(已通过测试)

    标签: EEPROM 24c02 C语言 易失性存储器

    上传时间: 2014-01-09

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  • 本书内容包括: 快速有效的测试存储器芯片 如何写入和擦除快闪存储器 用循环冗余校验码验证非易失性存储器数据 与芯片的内部外设和外部外设接口 设计和实现设备驱动 优化嵌入式软件 最大限度高

    本书内容包括: 快速有效的测试存储器芯片 如何写入和擦除快闪存储器 用循环冗余校验码验证非易失性存储器数据 与芯片的内部外设和外部外设接口 设计和实现设备驱动 优化嵌入式软件 最大限度高性能的应用C++特性 本书适用于嵌入式系统程序员、设计师和项目管理人员

    标签: 测试 存储器芯片 存储器数据 外设

    上传时间: 2016-08-31

    上传用户:yph853211

  • FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性

    FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性,并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年,同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性,开销和系统级别可靠性问题。

    标签: 256 256B L256 FRAM

    上传时间: 2016-09-26

    上传用户:songrui

  • fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有B

    fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及高擦写 次数使得它比EEPROM或其他非易失性 存储器可靠性更高 系统更简单

    标签: 1808 256K FRAM RAM

    上传时间: 2014-01-10

    上传用户:zhangjinzj

  • VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。

    VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器 内核可以提供高达 4O MIPS的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容。

    标签: L3074 3074 VRS 51L

    上传时间: 2014-01-02

    上传用户:米卡

  • 2推荐:串口扩展芯片GM812X和非易失性存

    2推荐:串口扩展芯片GM812X和非易失性存

    标签: 812X 812 GM 串口扩展

    上传时间: 2015-06-15

    上传用户:iswlkje

  • 程控增益线性脉冲放大器的设计。 设计了一种新型程控增益线性脉冲放大器。采用准高斯CR2RC2CR 成形电路结构,使用非易失性数字电位器和精密运放,使电路结构大大简化,抗干扰能力强,增益多级连续变化平

    程控增益线性脉冲放大器的设计。 设计了一种新型程控增益线性脉冲放大器。采用准高斯CR2RC2CR 成形电路结构,使用非易失性数字电位器和精密运放,使电路结构大大简化,抗干扰能力强,增益多级连续变化平稳,且具有温漂低、脉冲线性好等特点

    标签: CR2RC2CR 增益 程控 放大器

    上传时间: 2013-11-27

    上传用户:wcl168881111111

  • 4-20mA~0-5V两通道模拟信号隔离采集A D转换器

    isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输,广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统,4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制,小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置,可接入多种传感器类型,包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部包括电源隔离,信号隔离、线性化,a/d转换和rs-485串行通信等模块。每个串口最多可接256只iso ad系列模块,通讯方式采用ascii 码字符通讯协议或modbus rtu通讯协议,其指令集兼容于adam模块,波特率可由用户设置,能与其他厂家的控制模块挂在同一rs-485总线上,便于主机编程。 isoad系列产品是基于单片机的智能监测和控制系统,所有用户设定的校准值,地址,波特率,数据格式,校验和状态等配置信息都储存在非易失性存储器eeprom里。 isoad系列产品按工业标准设计、制造,信号输入 / 输出之间隔离,可承受3000vdc隔离电压,抗干扰能力强,可靠性高。工作温度范围- 45℃~+80℃。

    标签: 20 mA D转换 模拟信号

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:comer1123

  • 板载故障记录OBFL

    具有OBFL功能的电路板经配置后,可以把故障相关数据存储在非易失性存储器中,并可在日后加以检索和显示以用于故障分析。这些故障记录有助于电路板故障的事后检查。要实现OBFL系统功能,需要同时使用软硬件。在硬件方面,需要:a)确定给出电路板件故障信息的板载OBFL资源(如温度感应器、存储器、中断资源、电路板ID,等等);b)在电路板或者系统出现故障时用以保存故障信息的板载非易失性存储。OBFL软件的作用是在正常的电路板运行以及电路板故障期间配置电路板变量并将其作为OBFL记录存储在非易失性存储中。OBFL软件还应具备一定的智能,能够分析多项出错事件、记录和历史故障记录,以逐步缩小范围的方式确认故障原因。这种分析可以大大减轻故障排查工作,否则将有大量的OBFL记录需要故障分析工程师手动核查。

    标签: OBFL 故障记录

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:1595690

  • 带2K字节Flash的8位微控制器AT89LP216的主要功

    AT89LP216是一款低功耗、高性能CMOS8位单片机,它有2k字节ISPFlash存储器。产品生产采用Atmel的高密度非易失性存储器技术而且和工业标准de的MCS51指令集相兼容。AT89LP216基于一个加强性CPU内核,每时钟周期读取单子节指令。在经典8051结构中,每次读取需要6个时钟周期,使得执行指令需要12、24或者48个时钟周期。在AT89LP216CPU中,指令只需要1到4个时钟周期就可以达到传统8051速度的6到12倍。70%的指令字节数与执行的时钟周期数相等,而且其他指令只需要一个额外时钟。在相同功耗下增强型CPU内核可达到20MIPS,而传统8051CPU只能达到4MIPS。相反地,在相同的工作速率下,新CPU内核比传统的8051拥有更低的时钟速率和功耗。AT89LP216也拥有下列标准的特性:2K字节ISPFlash存储器,128字节RAM、多达12个I/O口、2个16位定时器/计数器,两PWM输出,一个可编程看门狗定时器,一个全双工串口,一个串行外围接口,一个内部RC振荡器,片上石英振荡器和一个4级、6矢量中断系统。AT89LP216里的两个定时器/计数器增加了两个新模式。模式0可以被设置为9到16位的定时器/计数器,模式1可被设置位16位自动装载定时器/计数器。此外,定时器/计数器可以独立驱动PWM输出。AT89LP216里面的I/O口能被独立配置为4种工作模式的其中一种。在准双工模式中,I/O口的工作模式和传统8051一样。在输入模式中,接口是三态门。推挽输出模式提供足够的CMOS驱动,开漏模式则起到一个下拉的作用。另外,Port1的所有8个引脚可以作为通用中断接口。AT89LP216的I/O口能承受的电压可超出电源电压达到5.5V。当器件的电源电压为2.4V而I/O口输入5.5V时,所有I/O口的反向电流总和不超过100μA。

    标签: Flash 216 89 AT

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:曹云鹏