MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。...
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。...
这是MOS管的损耗分析软件,可以帮助新手认识MOS存在哪些重要损耗,如何去解决损耗...
该资料详细分析了功率MOS管的开关损耗,给出了详细的计算过程...
双管籍位正激变换器是一种常用的电路拓朴。本文详尽地分析了一种双管籍位正激变换器的无源无损耗缓冲电路的工作原理及工作过程,指出正确选择缓冲电路的参数的理论依据...
为设计高性能、低损耗的电机,需要准确地分析电机铁耗。本文从铁磁材料的磁化特点出发,以分离铁耗模型为基础,对交变磁化以及旋转磁化条件下铁磁材料和电机的铁耗进行分析和计算,分别从理论和实践角度着重就电机铁耗计算和测量中的一些相关问题作了深入研究。 按照分离铁耗模型,铁心损耗可以分成磁滞损耗、涡流损耗和异...