IGBT器件和模块的发展
大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化、高可靠性薄片工艺,110μm (1200V), 60 μm (600V)小管芯,15年来管芯的面积减少了2/3大芯片,4”-5
2023-06-24
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