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从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因，并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析，并辅以仿真说明振荡产生的原因。
想要深入了解如何通过并联逆变器实现高效的功率因数校正吗？这份研究资料详细探讨了并联型功率因数校正技术，帮助你解决在设计高效率电源系统时遇到的难题。无论你是电力电子工程师还是相关领域的研究人员，都能从中获得宝贵的知识和技术指导。
:介绍了IGBT 扩容的并联方法,分析了导致IGBT 模块并联运行时不均流的各种因素,提出了相应的解决措施,并进行了仿真分析和实验验证。关键词:绝缘栅双极晶体管; 并联/ 静态均流; 动
38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器 随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着IGBT的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大...
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外...
在大功率DC/DC开关电源中,为了获得更大的功率，特别是为了得到大电流时，经常采用N个单元并联的方法。多个单元并联具有高可靠性，并能实现电路模块标准化等优点。然而在并联中遇到的主要问题就是电流不均，特别在加重负载时，会引起较为严重的后果。普...