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低电阻

  • 自备电厂系统中性点接地方式探讨

    文中以凌钢热电厂为工程实例对自备电厂系统中性点接地方式的选择进行了全面分析,阐述了自备电厂系统中性点接地方式选择的一些思路,介绍了一种接地装置参数的计算方法,并指出在其它自备电厂,尤其是冶金行业的自备电厂,系统中性点接地方式采用低电阻接地方式是切实可行的。

    标签: 电厂 中性点 接地方式

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:不懂夜的黑

  • 用于低电阻测量的毫欧计

    毫欧计

    标签: 低电阻 测量 毫欧计

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:crazyer

  • 以三端稳压集成电路LM317 为基础 ,设计了一种16 级数控直流稳压电源 ,介绍了该电源中可调电阻的选取与 实现。该电源可用 TTL 电平直接驱动 ,调整方便 ,成本低而步进精度高 ,输出电压范围

    以三端稳压集成电路LM317 为基础 ,设计了一种16 级数控直流稳压电源 ,介绍了该电源中可调电阻的选取与 实现。该电源可用 TTL 电平直接驱动 ,调整方便 ,成本低而步进精度高 ,输出电压范围大。

    标签: 317 TTL 电源 LM

    上传时间: 2013-12-24

    上传用户:ddddddos

  • 常见片式固定电阻应用参数手册:包括 0201型厚膜片式固定电阻器.pdf fhgk_Res001.pdf junpindianzu.pdf smd.pdf 低铅型厚膜片式固定电阻器.pdf 功率

    常见片式固定电阻应用参数手册:包括 0201型厚膜片式固定电阻器.pdf fhgk_Res001.pdf junpindianzu.pdf smd.pdf 低铅型厚膜片式固定电阻器.pdf 功率型厚膜片式电阻器.pdf 厚膜片式网络电阻器.pdf 厚膜片式跨接电阻器.pdf 常规厚膜片式固定电阻器.pdf 抗硫化厚膜片式固定电阻器.pdf 无铅型厚膜片式固定电阻器.pdf 片式线性NTC热敏电阻器(中英).pdf 超低阻值厚膜片式固定电阻器.pdf 高精度厚膜片式固定电阻器.pdf 高阻值厚膜片式固定电阻器.pdf 15 个文件 6,359,763 字节

    标签: junpindianzu fhgk_Res 0201

    上传时间: 2013-12-18

    上传用户:stvnash

  • 求二极法低阻球体上视电阻率值的程序

    求二极法低阻球体上视电阻率值的程序,参见傅良魁的1983年版的二极法公式。在本书38页上

    标签: 电阻率 程序

    上传时间: 2014-01-12

    上传用户:1101055045

  • 求三极法井间低阻球体上视电阻率值的程序

    求三极法井间低阻球体上视电阻率值的程序,参见傅良魁的1983年版的二极法公式。在本书38页上

    标签: 电阻率 程序

    上传时间: 2013-12-25

    上传用户:shanml

  • DIY毫欧表 用于测量低阻值电阻源码

    DIY毫欧表,用于测量低阻值电阻源码DIY毫欧表,用于测量低阻值电阻源码

    标签: 电阻

    上传时间: 2022-01-21

    上传用户:wky20090436

  • 高速低压低功耗CMOSBiCMOS运算放大器设计.rar

    近年来,以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用,因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中,运算放大器是最基本的电路,所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中,必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能,所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究,分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点,在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时,选择了两级直接共源一共栅输入级结构;为稳定运放输出共模电压,设计了共模负反馈电路,并进行了共模回路补偿;在偏置电路设计中,电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构,而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构;为了提高效率,在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级,输出电压摆幅基本上达到了轨对轨;并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数,对整个运放电路进行了设计,并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明,当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时,所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW,时延为16.8ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB,52.8 MHz和76°,而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW,时延为12.7 ns,开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°,各项技术指标都达到了设计要求。

    标签: CMOSBiCMOS 低压 低功耗

    上传时间: 2013-06-29

    上传用户:saharawalker

  • 微小电阻(10-8Ω)检测技术的研究

    本文介绍了微小电阻的测量技术,拟采用数字锁相环技术提取被噪声淹没的有用信号,通过多点测量及数据处理达到测试要求。该测量装置以计算机为核心,配以高精度A/D 转换器、低噪声放大器和精密恒流源,对

    标签: 小电阻 检测技术

    上传时间: 2013-06-21

    上传用户:kikye

  • 高增益K波段MMIC低噪声放大器

      基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.

    标签: MMIC 增益 低噪声放大器 波段

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:masochism