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MEMS真空封装是提高MEMS惯性器件性能的主要手段。本文应用实验方法,在真空熔焊工艺设备上研究了MEMS器件金属外壳真空封装工艺。对不同镀层结构的外壳进行了封装实验比较和气密性测试,结果发现,金属外壳表面镀Ni和镀Au或管座表面镀Ni和Au、管帽表面镀Ni可有效的提高真空封装的气密性和可靠性,其气...

📅 👤 leishenzhichui

本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和...

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本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术, 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件, 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外, 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说, 在同类专业书籍...

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