📚 n-Tn技术资料

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n-Tn技术，作为现代电子设计中的关键一环，以其卓越的性能与稳定性，在半导体器件、集成电路及微电子领域展现出巨大潜力。无论是高速通信系统还是高性能计算平台，n-Tn架构都扮演着不可或缺的角色。深入理解n-Tn原理不仅能够帮助工程师们优化现有产品设计，还能激发创新思维，探索更多可能的应用场景。本页面汇集了2688份精选资源，涵盖从基础理论到高级应用的全方位知识体系，是每位追求技术进步的专业人士...

🔥 n-Tn热门资料

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p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...

📅 2013-10-31 👤 summery

p-n 隧道击穿模型研究

N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究

 N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓...

📅 2013-11-12 👤 thesk123

PT-IGBT 缓冲层

（N+X）热插拔模块并联逆变电源应用前景

随着我国通信、电力事业的发展，通信、电力网络的规模越来越大，系统越来越复杂。与之相应的对交流供电的可靠性、灵活性、智能化、免维护越来越重要。在中国通信、电力网络中，传统的交流供电方案是以UPS或单机式逆变器提供纯净不间断的交流电源。由于控制技术的进步、完善，（N+X）热插拔模块并联逆变电源已经非常成...

📅 2014-03-24 👤 alan-ee

热插拔模块并联应用前景