CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入E...
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n-BODY技术，专注于解决多体动力学问题，广泛应用于天体物理学、分子动力学及复杂系统仿真等领域。通过精确模拟多个物体间的相互作用力，n-BODY算法能够帮助工程师深入理解从星系演化到纳米材料性质的各种现象。无论是进行科学研究还是工程设计，掌握n-BODY方法都是提升计算能力的关键一步。加入我们，探索2732个精选资源，开启您的n-BODY学习之旅！
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查看全部2732个资源 »采用归零法的N进制计数器原理
计数器是一种重要的时序逻辑电路，广泛应用于各类数字系统中。介绍以集成计数器74LS161和74LS160为基础，用归零法设计N进制计数器的原理与步骤。用此方法设计了3种36进制计数器，并用Multisim10软件进行仿真。计算机仿真结果表明设计的计数器实现了36进制计数的功能。基于集成计数器的N进制...
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意...
N+缓冲层对PT-IGBT通态压降影响的研究
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓...
（N+X）热插拔模块并联逆变电源应用前景
随着我国通信、电力事业的发展，通信、电力网络的规模越来越大，系统越来越复杂。与之相应的对交流供电的可靠性、灵活性、智能化、免维护越来越重要。在中国通信、电力网络中，传统的交流供电方案是以UPS或单机式逆变器提供纯净不间断的交流电源。由于控制技术的进步、完善，（N+X）热插拔模块并联逆变电源已经非常成...
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