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实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关...
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金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。[1]MOSFET依照其“通道”（工...
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开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供...
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SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左...
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如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet(规格书)
如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet(规格书)AllmanufacturersofpowerMOSFETsprovide adatasheetfor every type produced. The purpose of th...
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步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计.pdf
资料->【C】嵌入系统->【C3】自动化控制->【2】电机机床->【电机】->步进电机->步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计.pdf...
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双通道1206A ChipFET功率MOSFET推荐焊盘模式
New ON Semiconductor ChipFETs in the leadless 1206A package features the same outline as popular 120...