P C B 可测性设计布线规则之建议― ― 从源头改善可测率PCB 设计除需考虑功能性与安全性等要求外，亦需考虑可生产与可测试。这里提供可测性设计建议供设计布线工程师参考。1. 每一个铜箔电路支点，至少需要一个可测试点。如无对应的测试点，将可导致与之相关的开短路不可检出，并且与之相连的零件会因无测试点而不可测。2. 双面治具会增加制作成本，且上针板的测试针定位准确度差。所以Layout 时应通过Via Hole 尽可能将测试点放置于同一面。这样就只要做单面治具即可。3. 测试选点优先级：A.测垫(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件脚(Component Lead) D.贯穿孔(Via Hole)(未Mask)。而对于零件脚，应以AI 零件脚及其它较细较短脚为优先，较粗或较长的引脚接触性误判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm)，厚度少于此值之PCB 容易板弯变形，影响测点精准度，制作治具需特殊处理。5. 避免将测点置于SMT 之PAD 上，因SMT 零件会偏移，故不可靠，且易伤及零件。6. 避免使用过长零件脚(>170mil(4.3mm))或过大的孔(直径>1.5mm)为测点。7. 对于电池(Battery)最好预留Jumper，在ICT 测试时能有效隔离电池的影响。8. 定位孔要求：(a) 定位孔(Tooling Hole)直径最好为125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 须有2 个定位孔和一个防呆孔(也可说成定位孔,用以预防将PCB反放而导致机器压破板)，且孔内不能沾锡。(c) 选择以对角线，距离最远之2 孔为定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不应设计成中心对称,即PCB 旋转180 度角后仍能放入PCB,这样,作业员易于反放而致机器压破板)9. 测试点要求：(e) 两测点或测点与预钻孔之中心距不得小于50mil(1.27mm)，否则有一测点无法植针。以大于100mil(2.54mm)为佳，其次是75mil(1.905mm)。(f) 测点应离其附近零件(位于同一面者)至少100mil，如为高于3mm 零件，则应至少间距120mil，方便治具制作。(g) 测点应平均分布于PCB 表面，避免局部密度过高，影响治具测试时测试针压力平衡。(h) 测点直径最好能不小于35mil(0.9mm)，如在上针板，则最好不小于40mil(1.00mm)，圆形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之测点需额外加工，以导正目标。(i) 测点的Pad 及Via 不应有防焊漆(Solder Mask)。(j) 测点应离板边或折边至少100mil。(k) 锡点被实践证实是最好的测试探针接触点。因为锡的氧化物较轻且容易刺穿。以锡点作测试点，因接触不良导致误判的机会极少且可延长探针使用寿命。锡点尤其以PCB 光板制作时的喷锡点最佳。PCB 裸铜测点，高温后已氧化，且其硬度高，所以探针接触电阻变化而致测试误判率很高。如果裸铜测点在SMT 时加上锡膏再经回流焊固化为锡点，虽可大幅改善，但因助焊剂或吃锡不完全的缘故，仍会出现较多的接触误判。
上传时间： 2014-01-14
上传用户：cylnpy
TKS仿真器B系列快速入门
上传时间： 2013-10-31
上传用户：aix008
1.增加的设备支持： Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的头文件库 3.增加了ST-LINK II的调试支持 4.增加了对Cortex-M3 内核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2对Cortex-M3的SWV功能的调试 7.增强了使用GNU在MDK下调试M1,M3,ARM7,ARM9的调试功能（ Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.） 8.增加了大量经典开发板例程 Boards目录列表： ├─Embest 深圳市英蓓特公司开发板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半导体的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半导体的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的开发板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半导体公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半导体公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半导体公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半导体公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半导体公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半导体公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半导体公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...
上传时间： 2013-10-13
上传用户：zhangliming420
当你认为你已经掌握了PCB 走线的特征阻抗Z0，紧接着一份数据手册告诉你去设计一个特定的差分阻抗。令事情变得更困难的是，它说：“……因为两根走线之间的耦合可以降低有效阻抗，使用50Ω的设计规则来得到一个大约80Ω的差分阻抗！”这的确让人感到困惑！这篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外，还讨论了为什么是这样，并且向你展示如何正确地计算它。 单线：图1(a)演示了一个典型的单根走线。其特征阻抗是Z0，其上流经的电流为i。沿线任意一点的电压为V=Z0*i（ 根据欧姆定律）。一般情况，线对：图1(b)演示了一对走线。线1 具有特征阻抗Z11，与上文中Z0 一致，电流i1。线2具有类似的定义。当我们将线2 向线1 靠近时，线2 上的电流开始以比例常数k 耦合到线1 上。类似地，线1 的电流i1 开始以同样的比例常数耦合到线2 上。每根走线上任意一点的电压，还是根据欧姆定律，
标签： 差分阻抗
上传时间： 2013-11-10
上传用户：KSLYZ
一个简单好用的B+树算法实现
上传时间： 2015-01-04
上传用户：缥缈
一个用Basic实现的B-Tree算法
上传时间： 2013-12-30
上传用户：ccclll
一个用Java applet实现的B-Tree算法
上传时间： 2013-12-25
上传用户：qiao8960
用C++实现的B-Tree算法
上传时间： 2014-01-20
上传用户：jiahao131
用Borland C写的B-Tree算法
上传时间： 2014-12-05
上传用户：xzt
java 版B+树程序
上传时间： 2015-01-06
上传用户：chenjjer
