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·1、结型场效应三极管的结构N沟道结型场效应三极管的结构如图（a)所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连接在一起为栅极G，N型硅的一端是漏极D，另一端是源极S。P沟道结型场效应三极管的结构如图（b）所示2、结型场效应三极管的工作原理根据结型...

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jfet 场效应三极管

虽然JFET 是适用于低成本高输入阻抗放大器的优秀器件， 但存在着与温度有关的增益漂移问题。不过只要在-55℃至125℃温度范围内将漏极电流设为零漂移工作点就能改善这个问题。我们针对此电路测试了多种JFET：索尼的2SK152-2、 Interfet的IFN152以及 Siliconix/Visha...

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jfet 放大器 增益漂移

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