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gener<b>al</b>-purpose

  • 基于LPC2292的发声程序

    开发板为Embest公司的LPCEB2000-B,本例程使用了定时器中断实现延时,对于研究LPC处理器中断的开发人员有所帮助!

    标签: 2292 LPC 发声程序

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:qimingxing130

  • realview mdk 3.2 下载

    1.增加的设备支持: Atmel AT91SAM9Rxx Cirrus Logic CS7401xx-IQZ Luminary Micro LM3S576x, LM3S5752, LM3S5747, LM3S573x, LM3S5662, LM3S5652, LM3S5632, LM3S3759, LM3S3749, and LM3S3739 NXP LPC32XX and LPC2460 STMicroelectronics STR912FAZ4X, STR912FAW4X, STR911FAW4X, STR911FAM4X, STR910FAW32, and STR910FAZ32 2.修改了NXP LPC23XX/24XX的头文件库 3.增加了ST-LINK II的调试支持 4.增加了对Cortex-M3 内核芯片的RTX Event Viewer 的支持 5.增加了MCBSTM32: STM32 FLASH OPTION BYTES PROGRAMMING 6.增加了ULINK2对Cortex-M3的SWV功能的调试 7.增强了使用GNU在MDK下调试M1,M3,ARM7,ARM9的调试功能( Using μVision with CodeSourcery GNU ARM Toolchain.) 8.增加了大量经典开发板例程 Boards目录列表: ├─Embest 深圳市英蓓特公司开发板例程 │ ├─AT91EB40X-40008 │ ├─S3CEB2410 │ ├─ATEBSAM7S │ ├─LPC22EB06-I │ ├─LPCEB2000-A │ ├─LPCEB2000-B │ ├─LPCEB2000-S │ ├─str710 │ ├─str711 │ ├─str730 │ ├─str750 │ ├─STR912 │ ├─STM32V100 │ ├─STM32R100 │ ├─ATEB9200 ├─ADI ADI半导体的芯片例程 │ ├─ADuC702X │ └─ADuC712x ├─Atmel Atmel半导体的芯片例程 │ ├─AT91RM9200-EK │ ├─AT91SAM7A3-EK │ ├─AT91SAM7S-EK │ ├─AT91SAM7SE-EK │ ├─AT91SAM7X-EK │ ├─AT91SAM9260-EK │ ├─AT91SAM9261-EK │ ├─AT91SAM9263-EK ├─Keil Keil公司的开发板例程 │ ├─MCB2100 │ ├─MCB2103 │ ├─MCB2130 │ ├─MCB2140 │ ├─MCB2300 │ ├─MCB2400 │ ├─MCB2900 │ ├─MCBLM3S │ ├─MCBSTM32 │ ├─MCBSTR7 │ ├─MCBSTR730 │ ├─MCBSTR750 │ └─MCBSTR9 ├─Luminary Luminary半导体公司的芯片例程 │ ├─ek-lm3s1968 │ ├─ek-lm3s3748 │ ├─ek-lm3s3768 │ ├─dk-lm3s101 │ ├─dk-lm3s102 │ ├─dk-lm3s301 │ ├─dk-lm3s801 │ ├─dk-lm3s811 │ ├─dk-lm3s815 │ ├─dk-lm3s817 │ ├─dk-lm3s818 │ ├─dk-lm3s828 │ ├─ek-lm3s2965 │ ├─ek-lm3s6965 │ ├─ek-lm3s811 │ └─ek-lm3s8962 ├─NXP NXP半导体公司的芯片例程 │ ├─LH79524 │ ├─LH7A404 │ └─SJA2510 ├─OKI OKI半导体公司的芯片例程 │ ├─ML674000 │ ├─ML67Q4003 │ ├─ML67Q4051 │ ├─ML67Q4061 │ ├─ML67Q5003 │ └─ML69Q6203 ├─Samsung Samsung半导体公司的芯片例程 │ ├─S3C2440 │ ├─S3C44001 │ └─S3F4A0K ├─ST ST半导体公司的芯片例程 │ ├─CQ-STARM2 │ ├─EK-STM32F │ ├─STM32F10X_EVAL │ ├─STR710 │ ├─STR730 │ ├─STR750 │ ├─STR910 │ └─STR9_DONGLE ├─TI TI半导体公司的芯片例程 │ ├─TMS470R1A256 │ └─TMS470R1B1M ├─Winbond Winbond半导体公司的芯片例程 │ └─W90P710 └─ ...

    标签: realview mdk 3.2

    上传时间: 2013-10-13

    上传用户:zhangliming420

  • 宽带Antipodal Vivaldi天线设计

    设计了一种新型Antipodal Vivaldi天线,显著提高了天线的特性。结果表明,该天线可实现对IEEE 802.11 a、b、g标准的完全覆盖,应用频带在2.26~2.6 GHz和5.7~6.1 GHz频率范围内,驻波VSWR均低于1.4,增益达到约7.5 dB,方向性良好,具有良好的应用价值。

    标签: Antipodal Vivaldi 宽带 天线设计

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:1109003457

  • RT9005/RT9005A/RT9005B datasheet pdf

    The RT9005A/B is a dual-output Linear regulator for DDR-SDRAM VDDQ supply and termination voltage VTT supply.

    标签: 9005 datasheet RT

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:lmq0059

  • RT9018,RT9018AB-05 datasheet pdf

    The RT9018A/B is a high performance positive voltage regulator designed for use in applications requining very low Input voltage and very low dropout voltage at up to 3A(peak).

    标签: 9018 datasheet RT

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:geshaowei

  • 基于核的MMKP问题算法研究

      多维多选择背包问题(MMKP)是0-1背包问题的延伸,背包核已经被用来设计解决背包问题的高效算法。目的是研究如何获得一种背包核,并以此高效处理多维多选择背包问题。首先给出了一种方法确定MMKP的核,然后阐述了利用核精确解决MMKP问题的B&B算法,列出了具体的算法步骤。在分析了算法的存储复杂度后,将算法在各种实例上的运行效果与目前解决MMKP问题的常用算法的运行效果进行了比较,发现本文的算法性能优于以往任何算法。

    标签: MMKP 算法研究

    上传时间: 2013-11-20

    上传用户:wangw7689

  • 电子电路百科全书

    该电路集包括了从业界享有盛名的公司搜集到的大量最新电路,体现了丰富的设计思想。为便于读者理解和应用这些电路,本书几乎对每个电路都附有简要说明。$ C' I" t% P5 l3 V. l0 K, B 本书可供电子技术工作者、高等院校和中等专科学校师生、电子爱好者阅读和参考。( H& s, \, z6 ~% D: @

    标签: 电子电路 百科

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:songnanhua

  • 汇编语言和C语言的外部中断

    CPU在处理某一事件时,发生了另一事件请求CPU迅速去处理。CPU暂时中断当前的工作,转去处理事件B。待CPU将事件B处理完毕后,再回到原来事件A被中断的地方继续处理事件A。这一处理过程称为中断。介绍用汇编和C语言两语言的源程序,愿给大家带来帮助。 前面我已经上传了几个程序,没几天却失踪了。但这次的不会失踪,能保留上几天。

    标签: 汇编语言 C语言 外部中断

    上传时间: 2014-12-31

    上传用户:dianxin61

  • 飞思卡尔智能车的舵机测试程序

    飞思卡尔智能车的舵机测试程序 #include <hidef.h>      /* common defines and macros */#include <MC9S12XS128.h>     /* derivative information */#pragma LINK_INFO DERIVATIVE "mc9s12xs128" void SetBusCLK_16M(void)             {       CLKSEL=0X00;        PLLCTL_PLLON=1;          //锁相环电路允许位    SYNR=0x00 | 0x01;        //SYNR=1    REFDV=0x80 | 0x01;          POSTDIV=0x00;            _asm(nop);              _asm(nop);    while(!(CRGFLG_LOCK==1));       CLKSEL_PLLSEL =1;          } void PWM_01(void) {     //舵机初始化   PWMCTL_CON01=1;    //0和1联合成16位PWM;    PWMCAE_CAE1=0;    //选择输出模式为左对齐输出模式    PWMCNT01 = 0;     //计数器清零;    PWMPOL_PPOL1=1;    //先输出高电平,计数到DTY时,反转电平    PWMPRCLK = 0X40;    //clockA 不分频,clockA=busclock=16MHz;CLK B 16分频:1Mhz     PWMSCLA = 0x08;    //对clock SA 16分频,pwm clock=clockA/16=1MHz;         PWMCLK_PCLK1 = 1;   //选择clock SA做时钟源    PWMPER01 = 20000;   //周期20ms; 50Hz;    PWMDTY01 = 1500;   //高电平时间为1.5ms;     PWME_PWME1 = 1;   

    标签: 飞思卡尔智能车 舵机 测试程序

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:狗日的日子

  • AL-FGB复合式过电压保护器

    AL-FGB系列复合式过电压保护器 AL-FGB型三相复合式过电压保护器(简称AL-FGB)是我公司针对现行各类过电压保护器保护弱点而研制的新一代专利产品,将组容吸收器和避雷器的功能有机结合在一起,专用于35KV及以下中压电网中,主要用来吸收真空断路器、真空接触器在开断感性负载时产生的高频操作过电压,同时具有吸收大气过电压及其他形式的暂态冲击过电压的功能; 因此具备一系列其它类型过电压保护器无法比拟的优点。可广泛地应用于真空断路器操作的电动机、电抗器、变压器等配电线路中。 该产品使过电压保护器的整体功能实现了重大突破,是目前功能最全面、保护最完善的产品。符合国家产业政策及国家电气产品无油化、小型化、节能环保等发展趋势,具有显著的技术经济效益和广泛的社会效益,是我国电力建设尤其是城乡电网改造急需的产品。 该产品广泛应用于发电厂、变(配)电站、各种水利设施、矿山、石油、化工、冶金以及其他各类工业企业等。 1、全面抑制雷电和操作过电压的危害,功能强大,保护更全面 在中压电网中,由于真空电器产品(真空断路器、真空接触器、真空负荷开关、真空重合器等)的灭弧能力特别强,在关、合感性负载(发电机、变压器、电抗器和电动机等)时,容易引发截流过电压、多次重燃过电压及三相同时开断过电压。这些操作过电压具有高幅值、高陡度(振荡频率高达105~106HZ),对感性负载的危害性极大,被称为“电机杀手”。 目前各类避雷器和组合式过电压保护器,都是利用氧化锌阀片的残压限制过电压的幅值,只限幅不限频,用来防雷能起到好的效果,但对操作过电压只治标不治本。 AL-FGB内部为氧化锌阀片和电阻电容的有机组合,兼有氧化锌阀片型避雷器与阻容吸收器的优点,从根本上克服了单纯氧化锌阀片型避雷器与阻容吸收器各自不可避免的缺点,不但能够防雷,而且能有效抑制上述操作过电压的幅值和陡度;双效合一,至善尽美。 2、双回路设计,功能互补,相互保护 操作过电压保护阻容回路Ⅰ和避雷保护回路Ⅱ有机结合,保护功能互不干涉,还能相互保护。如图2-1。 当雷电波侵入时,阻容回路Ⅰ不通(但可辅助减缓波头陡度),雷电波按实线路径,经避雷回路Ⅱ泄入大地;同时保护了阻容回路中电容器,避免其因承受过高雷电过电压而击穿。当高频振荡的操作过电压侵入时,则按虚线路径,经阻容回路Ⅰ流通,限幅降频;同时减少避雷回路的动作次数,保护阀片,延长产品寿命。 3、降低陡度,排除匝间击穿危险性; 感性负载的匝间电位梯度与电流陡度(di/dt)成正比,操作过电压陡度极高,对匝间绝缘危害极大,且易使断路器重燃。现场许多事故实例都证明,在操作过电压作用下,电机和变压器的损坏部位大多集中在匝间,且以进线端的匝间为主,这说明高陡度对带绕组的电气设备危害极大。 AL-FGB设计的阻容回路能够有效降低操作过电压的振荡频率,缓解波头陡度,从而降低绕组间的电位梯度,且能减少断路器的重燃机率,成功抑制高陡度对电气设备的危害。 目前同类的过电压保护设备,如避雷器、各类组合式过电压保护器等,对改变操作过电压的振荡频率、降低陡度无能为力,即不能防治高陡度对感性负载匝间造成的损伤。 4、自控接入,环保节能; AL-FGB增加了自控接入装置,在正常运行时仅通过μA级电流,不仅节约电能,而且不向电网提供附加电容电流,保证系统稳定工作。具体参数设计保证其在需要时能够迅速接入电网,保护即时,而且接入电网工频电压性能稳定、分散性小、不受大气条件影响。 设置自控接入装置对消除谐振过电压(注:不超过AL- FGB的承受能力)也具有一定作用。当谐振过电压幅值高至危害电气设备时,AL-FGB接入电网,电容器增大主回路电容,有利于破坏谐振条件,电阻阻尼震荡,有利于降低谐振过电压幅值。 5、免受谐波侵扰,适应的电网运行环境更广; 电网中常含有高次谐波分量,使电容回路的电流异常增大,电阻过热,对过电压保护设备的正常运行不利。 AL-FGB能免受高次谐波侵扰:因为它增加了自控接入装置,在正常运行或发生单相接地异常运行时都与电网隔离,所以可以在高次谐波含量较高的电网中工作,适应的电网运行环境更广。 6、自控脱离,有效控制事故范围; 谐振过电压、间歇性弧光接地过电压等系统过电压,持续时间长、能量大,但幅度和陡度都不是很高。这类系统过电压极易损坏过电压保护设备,出现爆炸等现象。 AL-FGB增加了自控脱离装置,能实现自我保护功能。当系统过电压超过AL-FGB的承受能力时,自控脱离装置选择自我脱离,保护本体,避免出现爆炸的现象,控制事故范围,延长使用寿命,运行更安全更经济。 7、既可保护相对地,又可保护相间; 四极式联接(如图2-2),具体参数设计保证:不仅能保护相对地绝缘,而且能保护相间绝缘。本身为连体结构,体积小,性能稳定,而价格不高。 8、吸收容量大,保护范围更广; 针对35KV电网系统,AL-FGB电容容量高达0.05μF,保护范围完全覆盖该电网系统中的各类电气设备,且裕量充足;针对35KV以下各类电网系统,其电容容量高达0.1μF,吸收容量更大,保护范围更广泛。 9、选材考究,VO级阻燃材质; 9.1 阻容回路 采用具有自愈功能的干式高压电容器,这种电容器真正达到了防护型电容器的各项技术指标,其绝缘水平完全达到了GB311.1—1997标准的要求,该产品能在环境温度上限,1.15UN和1.5IN下长期运行,在2UN下连续运行4小时不出现闪络和击穿;极间选用国外进口的优质、高性能的绝缘材料聚丙烯金属化镀膜为固体介质;各个电容器单元联接后采用阻燃环氧树脂灌封;电性能稳定可靠。 配置散热性能良好的特制非线性无感电阻,可靠性大大提高,从而也大大提高了电力系统运行的可靠性和安全性,使用寿命更长。 9.2 避雷回路 采用非线性伏—安特性十分优异的氧化锌阀片,具有良好的陡波响应特性,残压低、容量大、保护大气过电压可靠性高。 9.3外壳 采用阻燃级别达到最高级别的VO级进口材质,使用更放心。 10、动态记录,清晰掌控设备运行状况; 可根据用户要求选装放电动作记录器,清晰掌控AL-FGB的工作动作状况。

    标签: AL-FGB 过电压保护器

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:wangjin2945