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共 29 篇文章
gan 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 29 篇文章，持续更新中。
GaN基紫外图像传感器研究
本资源深入探讨了基于GaN材料的紫外图像传感器技术，采用pin型背面入光式结构设计，成功实现了64×64分辨率的紫外探测器阵列样品开发。该研究不仅为高灵敏度、低噪声的紫外成像提供了新的解决方案，而且对于推动环境监测、生物医学以及安全检测等领域的技术创新具有重要意义。适合从事半导体器件研发、光电技术应用的专业人士参考学习。现在即可免费下载完整版资料。
GaN器件仿真实验
对AlGaN/GaN HEMT器件进行高温DC实验仿真，对器件的设计具有一定的指导意义。
二维电子气对电流的影响
本文将使用自洽的方法研究基于AltGa1-tN/GaN高电子迁移率晶体管异质结构，以Al摩尔分数t = 0.3为例。在2DEG电子的包络波函数源于在有限的三角形状的量子阱中薛定谔和泊松方程的自洽的解决方案。
期刊论文：剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用
·期刊论文：剥离技术在GaN基紫外图像传感器中的应用
期刊论文：64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
·期刊论文：64×64元GaN基紫外图像传感器的设计
GaN基LEDs可靠性的研究.zip
加速试验论文，阐述了有关发光二极管的加速寿命试验问题及相关试验方法
基于氮化镓的图腾柱无桥PFC
得益于氮化镓材料的诸多特性，氮化镓场效应晶体管(GaN-FET)的性能要比目前最好的商用硅MOSFET更高。 该PPT以连续导电模式（CCM）的图腾柱无桥PFC为例，介绍了GaN-FET的特性和应用。
基于GaN的功率放大器设计
该文档为基于GaN的Ka波段功率放大器设计及热分析，很不错的参考论文
MACOM SDI视频产品组合
MACOM是业界领先的光通信和GaN功率器件的生产者，SDI视频产品也是其最重要的产品组合之一。
MACOM 高功率GaN产品组合
GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说，这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此，目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本，与传统LDMOS相比GaN的成本较高;目前可用的商用GaN主要还是基于较高成本的SiC基板。第二个原因就是供应链的可靠
Si衬底GaN基材料及器件的研究
GaN作为新型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料，可与InN，AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（AlGaN、InGaN、AlInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极大的应用前景。
deep learning 深度学习中文版
<p>deep learing，机器学习界名人、GAN的提出者、谷歌大脑研究科学家 Ian Goodfellow，从深度学习的基础知识和原理一直讲到最新的方法，而且在技术的应用方面也有许多具体介绍</p>
分流电阻的直列式电机相电流检测功能的 48V 三相逆变器
<p> 基于分流电阻的直列式电机相电流检测功能的 48V 三相逆变器</p><p>TIDA-00913 参考设计实现 48V/10A 三相 GaN 逆变器，配备基于分流器的精密直列式相电流感应，从而对精密驱动器（例如，伺服驱动器）进行精准控制。基于分流器的直列式相电流感应的最大挑战之一就是 PWM 开关期间的高共模电压瞬态。INA240 双向电流感应放大器使用增强的 PWM 抑制来克服此
FlexiGAN：用于FPGA加速生成性对抗网络的端到端解决方案
<p>生成性对抗网络（GAN）是一种深度学习的前沿。 GAN包括两个模型：生成和歧视。虽然辨别模型使用传统的卷积，生成模型依赖于一个根本不同的运算符，称为转置卷积。此运算符最初会插入大量的零它的输入然后在这个扩展的输入上滑动一个窗口。这种零插入步骤导致大量无效作并创建不同的计算模式穿过推拉窗。无效的操作随着计算模式的变化导致显着使用传统卷积时资源利用不足硬件。为了缓解这些低效率的来源，本文设计Fl
你一定需要！2019最新门极驱动选型指南
<p>英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019</p><p>门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。</p><p>每一个功率器件都需要一个门
GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
<p>本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱
基于GaN器件射频功率放大电路的设计
<p>本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）</p><p>进行的宽带功率放大电路设计.</p><p>主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电
零死角玩转stm32 初级篇、中级篇、高级篇、系统篇
<p>《零死角玩转 STM32 》系列教程由 初级篇、 中级篇、 高级篇、 系统篇 、</p><p>四个部分组成，根据野火 STM32 开发板旧版教程升级而来，且经过重新深入编</p><p>写，重新排版，更适合初学者，步步为营，从入门到精通，从裸奔到系统，让</p><p>您零死角玩转 STM32。M3 的世界，于野火同行，乐意惬无边。</p><p><img src="data:image/png;
硅基GaN功率半导体技术
<p>该文档为硅基GaN功率半导体技术讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………</p><p><br/></p>
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
<p>半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试</p><p>宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。</p><p>四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，<br/>对样品形状没有要求， 且不需要测量样品所有尺寸， 但需满足