BC20-TE-B NB-Iot 评估板评估板原厂原理图V1.2。完整对应实物装置。
上传时间： 2022-06-17
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上传时间： 2013-12-26
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NCS8803 3.2.1 功能：是一颗将HDMI信号转EDP信号的转接芯片。其应用如下： 3.2.2产品特征 输入：HDMI 输出：Embedded-DisplayPort (eDP) EDP接口 1/2/4-lane eDP @ 1.62/2.7Gbps per lane HD to WQXGA (2560*1600) supported 内置EDP协议 HDMI Input HDMI 1.4a supported 支持RGB444/YCbCr444/YCbCr422 像素时钟： 340MHz 支持双通道音频输入； 参考时钟 任何频率，在19MHz到100MHz之间，单端时钟输入 内置5000 ppm SSC与否 通信方式 IIC 电源 1.2V core supply 2.5V or 3.3V IO supply 功耗：150Mw 封装：QFN-56 (7mm x 7mm) 3.2.4 应用产品：广告机，平板、医疗器械、车机、显示器、小电视、车载电视等 3.2.5 应用平台：RK、全志、M-star、炬力等 3.3.6 推广注意事项A:确认客户使用屏的分辨率，最常用的是1366x768@60Hz和1920x1080@60Hz BNCS8803支持4-lane DP / eDP输出通常支持WQXGA所需 (2560 * 1600)及以上60 hz的帧速率 C.确认客户的信号源，要是标准的HDMI信号,其他的都不行； D.此芯片支持缩放功能，分数缩放比例2:1至1:2； E、此芯片不是纯硬件转换芯片，需要通过IIC或者SPI进行初始化，初始化一般使用客户CPU进行，这样方便控制时序也节省成本，如果不使用客户CPU进行初始化就要另外加MCU进行配置。 设计注意事项： A、NCS8801S设计的时候要特别注意输入输出的走线问题，要做好屏蔽以免信号受到干扰。 B、注意电源滤波 C、设计的时候预留LVDS信号要预留阻抗匹配电阻 D、设计的时候复位脚最好由客户CPU的GPIO口进行控制，以便控制整个方案的时序，避免后面出现问题。
上传时间： 2022-07-08
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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/****************temic*********t5557***********************************/ #include <at892051.h> #include <string.h> #include <intrins.h> #include <stdio.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long //STC12C2051AD的SFR定义 sfr WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看门狗?????? /**********全局常量************/ //写卡的命令 #define write_command0 0//写密码 #define write_command1 1//写配置字 #define write_command2 2//密码写数据 #define write_command3 3//唤醒 #define write_command4 4//停止命令 #define TRUE 1 #define FALSE 0 #define OK 0 #define ERROR 255 //读卡的时间参数us #define ts_min 250//270*11.0592/12=249//取近似的整数 #define ts_max 304//330*11.0592/12=304 #define t1_min 73//90*11.0592/12=83:-10调整 #define t1_max 156//180*11.0592/12=166 #define t2_min 184//210*11.0592/12=194 #define t2_max 267//300*11.0592/12=276 //***********不采用中断处理:采用查询的方法读卡时关所有中断****************/ sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13 sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE PIN=6 sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut PIN=2 sbit wtd_sck = P1^7;//SPI总线 sbit wtd_si = P1^3; sbit wtd_so = P1^2; sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC sbit iic_clk = P1^7; sbit led_light = P1^6;//测试绿灯 sbit led_light1 = P1^5;//测试红灯 sbit led_light_ok = P1^1;//读卡成功标志 sbit fengmingqi = P1^5; /***********全局变量************************************/ uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密码 //uchar idata card_snr[4]; //配置字 uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7}; //存储卡上用户数据(1-7)7*4=28 uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收数组ram uchar command; //第一个命令 uchar command1;// //uint temp; uchar j,i; uchar myaddr = 8; //uchar ywqz_count,time_count; //ywqz jishu: uchar bdata DATA; sbit BIT0 = DATA^0; sbit BIT1 = DATA^1; sbit BIT2 = DATA^2; sbit BIT3 = DATA^3; sbit BIT4 = DATA^4; sbit BIT5 = DATA^5; sbit BIT6 = DATA^6; sbit BIT7 = DATA^7; uchar bdata DATA1; sbit BIT10 = DATA1^0; sbit BIT11 = DATA1^1; sbit BIT12 = DATA1^2; sbit BIT13 = DATA1^3; sbit BIT14 = DATA1^4; sbit BIT15 = DATA1^5; sbit BIT16 = DATA1^6; sbit BIT17 = DATA1^7; bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B) bit timer1_end; bit read_ok = 0; //缓存定时值,因用同一个定时器 union HLint { uint W; struct { uchar H;uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint data a; //缓存定时值,因用同一个定时器 union HLint0 { uint W; struct { uchar H; uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint0 data b; /**********************函数原型*****************/ //读写操作 void f_readcard(void);//全部读出1~7 AOR唤醒 void f_writecard(uchar x);//根据命令写不同的内容和操作 void f_clearpassword(void);//清除密码 void f_changepassword(void);//修改密码 //功能子函数 void write_password(uchar data *data p);//写初始密码或数据 void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指针 void write_bit(bit x);//写位 /*子函数区*****************************************************/ void delay_2(uint x) //延时,时间x*10us@12mhz,最小20us@12mhz { x--; x--; while(x) { _nop_(); _nop_(); x--; } _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能频繁的复位 _nop_(); } ///////////////////////////////////////////////////////////////////// void initial(void) { SCON = 0x50; //串口方式1,允许接收 //SCON =0x50; //01010000B:10位异步收发,波特率可变,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1, //REN=1允许接收 TMOD = 0x21; //定时器1 定时方式2(8位),定时器0 定时方式1(16位) TCON = 0x40; //设定时器1 允许开始计时(IT1=1) TH1 = 0xfD; //FB 18.432MHz 9600 波特率 TL1 = 0xfD; //fd 11.0592 9600 IE = 0X90; //EA=ES=1 TR1 = 1; //启动定时器 WDT_CONTR = 0x3c;//使能看门狗 p_U2270B_Standby = 0;//单电源 PCON = 0x00; IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0 led_light1 = 1; led_light = 0; p_U2270B_OutPut = 1; } /************************************************/ void f_readcard()//读卡 { EA = 0;//全关,防止影响跳变的定时器计时 WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 p_U2270B_CFE = 1;// delay_2(232); //>2.5ms /* // aor 用唤醒功能来防碰撞 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us write_bit(1);//10=操作码读0页 write_bit(0); write_password(&bankdata[24]);//密码block7 p_U2270B_CFE =1 ;// delay_2(516);//编程及确认时间5.6ms */ WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 led_light = 0; b.W = 0; while(!(read_ok == 1)) { //while(p_U2270B_OutPut);//等一个稳定的低电平?超时判断? while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到来同步信号检测1 TR0 = 1; //deng xia jiang while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//定时器晚启动10个周期 //同步头 if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//检测同步信号1 else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //等待上升沿 while(!p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//b.N1<<=8; if(a.B.L < 195);//0.5p else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //读0~7块的数据 for(j = 0;j < 28;j++) { //uchar i; for(i = 0;i < 16;i++)//8个位 { //等待下降沿的到来 while(p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2;//先左移再赋值 b.B.L += 0xc0; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p { b.W >>= 1; b.B.L += 0x80; } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; while(!p_U2270B_OutPut);//上升 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P //else if(!(a.W==0)) { b.W >>= 1; //temp+=0x00; //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000); } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; } //取出奇位 DATA = b.B.L; BIT13 = BIT7; BIT12 = BIT5; BIT11 = BIT3; BIT10 = BIT1; DATA = b.B.H; BIT17 = BIT7; BIT16 = BIT5; BIT15 = BIT3; BIT14 = BIT1; bankdata[j] = DATA1; } read_ok = 1;//读卡完成了 read_error: _nop_(); } } /***************************************************/ void f_writecard(uchar x)//写卡 { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(232); //>2.5ms //psw=0 standard write if (x == write_command0)//写密码:初始化密码 { uchar i; uchar data *data p; p = cominceptbuff; p_U2270B_CFE = 0; delay_2(31);//start gap>330us write_bit(1);//写操作码1:10 write_bit(0);//写操作码0 write_bit(0);//写锁定位0 for(i = 0;i < 35;i++) { write_bit(1);//写数据位1 } p_U2270B_CFE = 1; led_light1 = 0; led_light = 1; delay_2(40000);//测试使用 //write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE = 1; bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密码存入 bankdata[21] = cominceptbuff[1]; bankdata[22] = cominceptbuff[2]; bankdata[23] = cominceptbuff[3]; } else if (x == write_command1)//配置卡参数:初始化 { uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//写操作码1:10 write_bit(0);//写操作码0 write_bit(0);//写锁定位0 write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE= 1; } //psw=1 pssword mode else if(x == write_command2) //密码写数据 { uchar data*data p; p = &bankdata[24]; write_bit(1);//写操作码1:10 write_bit(0);//写操作码0 write_password(p);//发口令 write_bit(0);//写锁定位0 p = cominceptbuff; write_block(cominceptbuff[4],p);//写数据 } else if(x == write_command3)//aor //唤醒 { //cominceptbuff[1]操作码10 X xxxxxB uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//10 write_bit(0); write_password(p);//密码 p_U2270B_CFE = 1;//此时数据不停的循环传出 } else //停止操作码 { write_bit(1);//11 write_bit(1); p_U2270B_CFE = 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /************************************/ void f_clearpassword()//清除密码 { uchar data *data p; uchar i,x; p = &bankdata[24];//原密码 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us //操作码10:10xxxxxxB write_bit(1); write_bit(0); for(x = 0;x < 4;x++)//发原密码 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//锁定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x00,p);//写新配置参数:pwd=0 //密码无效:即清除密码 DATA = 0x00;//停止操作码00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /*********************************/ void f_changepassword()//修改密码 { uchar data *data p; uchar i,x,addr; addr = 0x07;//block7 p = &Nkey_a[0];//原密码 DATA = 0x80;//操作码10:10xxxxxxB for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } for(x = 0;x < 4;x++)//发原密码 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT7); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//锁定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x07,p);//写新密码 p_U2270B_CFE = 1; bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密码存入 bankdata[25] = cominceptbuff[1]; bankdata[26] = cominceptbuff[2]; bankdata[27] = cominceptbuff[3]; DATA = 0x00;//停止操作码00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /***************************子函数***********************************/ void write_bit(bit x)//写一位 { if(x) { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(32);//448*11.0592/120=42延时448us p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26写1 } else { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(92);//192*11.0592/120=18 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26写0 } } /*******************写一个block*******************/ void write_block(uchar addr,uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)//block0数据 { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } DATA = addr <<= 5;//0地址 for(i = 0;i < 3;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } } /*************************************************/ void write_password(uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)// { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } } /*************************************************/ void main() { initial(); TI = RI = 0; ES = 1; EA = 1; delay_2(28); //f_readcard(); while(1) { f_readcard(); //读卡 f_writecard(command1); //写卡 f_clearpassword(); //清除密码 f_changepassword(); //修改密码 } }
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GBT2423.51-2000 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验ke 流动混合气体腐蚀试验.pdf 535KB2019-03-29 13:34 GBT2423.50-1999 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验cy 恒定湿热主要用于元件的加速试验.pdf 319KB2019-03-29 13:34 GBT2423.49-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fe 振动--正弦拍频法.pdf 832KB2019-03-29 13:34 GBT2423.48-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验ff 振动--时间历程法.pdf 708KB2019-03-29 13:34 GBT2423.47-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fg 声振.pdf 773KB2019-03-29 13:34 GBT2423.46-1997 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验ef：撞击摆锤.pdf 423KB2019-03-29 13:34 GBT2423.45-1997 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验zabdm：气候顺序.pdf 418KB2019-03-29 13:34 GBT2423.44-1995 电工电子产品环境试验第二部分 试验方法试验eg 撞击弹簧锤.pdf 356KB2019-03-29 13:34 GBT2423.43-1995 电工电子产品环境试验第二部分 试验方法元件、设备和其他产品在冲击,碰撞,振动,和稳态加速度,等动力学试验中的安装要求和导则.pdf 496KB2019-03-29 13:34 GBT2423.42-1995 工电子产品环境试验低温低气压振动(正弦)综合试验方法.pdf 246KB2019-03-29 13:34 GBT2423.41-1994 电工电子产品基本环境试验规程风压试验方法.pdf 213KB2019-03-29 13:34 GBT2423.40-1997 电工电子产品环境试验第2部分试验方法试验cx 未饱和高压蒸汽恒定湿热.pdf 532KB2019-03-29 13:34 GBT2423.39-1990 电工电子产品基本环境试验规程试验ee 弹跳试验方法.pdf 331KB2019-03-29 13:34 GBT2423.38-1990 电工电子产品基本环境试验规程试验r 水试验方法.pdf 357KB2019-03-29 13:34 GBT2423.37-1989 电工电子产品基本环境试验规程试验l砂尘试验方法.pdf 236KB2019-03-29 13:34 GBT2423.36-1986 电工电子产品基本环境试验规程试验zbfc 散热和非散热样品的高温振动(正弦)综合试验方法.pdf 273KB2019-03-29 13:34 GBT2423.35-1986 电工电子产品基本环境试验规程试验zafc 散热和非散热试验样品的低温振动(正弦)综合试验方法.pdf 270KB2019-03-29 13:34 GBT2423.34-1986 电工电子产品基本环境试验规程试验zad 温度湿度组合循环试验方法.pdf 290KB2019-03-29 13:34 GBT2423.33-1989 电工电子产品基本环境试验规程试验kca 高浓度二氧化硫试验方法.pdf 146KB2019-03-29 13:34 GBT2423.32-1985 电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法.pdf 172KB2019-03-29 13:34 GBT2423.31-1985 电工电子产品基本环境试验规程倾斜和摇摆试验方法.pdf 143KB2019-03-29 13:34 GBT2423.30-1999 电工电子产品环境试验第2部分试验方法试验xa 和导则在清洗剂中浸渍.pdf 104KB2019-03-29 13:34 GBT2423.29-1999 电工电子产品环境试验第2部分试验方法试验u 引出端及整体安装件强度.pdf 421KB2019-03-29 13:34 GBT2423.28-1982 电工电子产品基本环境试验规程试验t 锡焊试验方法.pdf 697KB2019-03-29 13:34 GBT2423.27-1981 电工电子产品基本环境试验规程试验zamd 低温低气压湿热连续综合试验方法.pdf 128KB2019-03-29 13:34 GBT2423.26-1992 电工电子产品基本环境试验规程试验zbm 高温低气压综合试验.pdf 211KB2019-03-29 13:34 GBT2423.25-1992 电工电子产品基本环境试验规程试验zam 低温低气压综合试验.pdf 202KB2019-03-29 13:34 GBT2423.24-1995 电工电子产品环境试验第二部分 试验方法试验sa 模拟地面上的太阳辐射.pdf 176KB2019-03-29 13:34 GBT2423.23-1995 电工电子产品环境试验试验q 密封.pdf 1.2M2019-03-29 13:34 GBT2423.22-2002 电工电子产品环境试验第2部分试验方法试验n 温度变化.pdf 302KB2019-03-29 13:34 GBT2423.21-1991 电工电子产品基本环境试验规程试验m 低气压试验方法.pdf 107KB2019-03-29 13:34 GBT2423.20-1981 电工电子产品基本环境试验规程试验kd 接触点和连接件的硫化氢试验方法.pdf 140KB2019-03-29 13:34 GBT2423.19-1981 电工电子产品基本环境试验规程试验kc 接触点和连接件的二氧化硫试验方法.pdf 145KB2019-03-29 13:34 GBT2423.18-2000 电工电子产品环境试验第二部分 试验--试验kb 盐雾,交变(氯化钠溶液).pdf 163KB2019-03-29 13:34 GBT2423.17-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验ka 盐雾试验方法.pdf 105KB2019-03-29 13:34 GBT2423.16-1999 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验j和导则长霉.pdf 531KB2019-03-29 13:34 GBT2423.15-1995 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验ga和导则稳态加速度.pdf 297KB2019-03-29 13:34 GBT2423.14-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fdc宽频带随机振动低再现性.pdf 444KB2019-03-29 13:34 GBT2423.13-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fdb宽频带随机振动中再现性.pdf 805KB2019-03-29 13:34 GBT2423.12-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fda宽频带随机振动--高再现性.pdf 842KB2019-03-29 13:34 GBT2423.11-1997 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fd宽频带随机振动--一般要求 .pdf 635KB2019-03-29 13:34 GBT2423.10-1995 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验fc和导则振动(正弦).pdf 1M2019-03-29 13:34 GBT2423.09-2001 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验cb设备用恒定湿热.pdf 149KB2019-03-29 13:34 GBT2423.08-1995 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验ed自由跌落.pdf 301KB2019-03-29 13:34 GBT2423.07-1995 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验ec和导则倾跌与翻倒(主要用于设备型样品).pdf 237KB2019-03-29 13:34 GBT2423.06-1995 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验eb和导则：碰撞.pdf 545KB2019-03-29 13:34 GBT2423.05-1995 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验ea和导则冲击.pdf 892KB2019-03-29 13:34 GBT2423.04-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验db 交变湿热试验方法.pdf 192KB2019-03-29 13:34 GBT2423.03-1993 电工电子产品基本环境试验规程试验ca 恒定湿热试验方法.pdf 124KB2019-03-29 13:34 GBT2423.02-2001 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验b高温.pdf 744KB2019-03-29 13:34 GBT2423.01-2001 电工电子产品环境试验第2部分 试验方法试验a低温.pdf 499KB2019-03-29 13:34 GB2421-89 电工电子产品基本环境试验规程总则.pdf
上传时间： 2013-06-08
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近年来，随着多媒体技术、计算机网络与通信技术的的快速发展，传统的监控系统也不断向着新的发展方向进行着不断的更新与发展。进而随着嵌入式技术的出现以及人们对降低监控系统成本和提高可靠性的迫切需求，基于嵌入式系统的网络视频监控系统将成为新的研发热点。 本文的目的是把嵌入式技术与计算机网络技术相结合，构造一个性能稳定且具有较强处理能力的数字化远程视频监控系统。该监控系统以嵌入式Linux系统平台作为服务器端，服务器程序在其上以后台方式运行，等待监控系统环境中的客户机使用浏览器向其发送访问请求，实现在局域网乃至Internet网上对摄像头的远程控制。 文中把系统设计分为三大部分：系统硬件设计、嵌入式Linux在硬件平台的实现和系统软件设计。硬件设计部分首先提出了整个硬件系统的实现方案，接着详细介绍了S3C2410处理器与存储器、以太网控制器芯片以及USB和串口的接口电路设计；第二部分详细叙述了嵌入式Linux在本系统硬件平台的移植实现及应用程序的开发特点，重点讲述了本系统平台上Linux的引导加载程序Bootloader的设计过程；系统软件部分首先介绍了USB接口摄像头驱动在嵌入式Linux下的实现，重点讲述了Video4Linux下视频采集的实现，接着论述了如何实现图像的JPEG压缩，最后针对基于B/S模式的网络通信系统结构，详细阐述了网络通信的具体实现过程和方法。 最后在办公室局域网通过对系统测试，显示了系统运行结果，实现了利用局域网或Internet网对远程环境进行监控的功能。
上传时间： 2013-07-04
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永磁同步发电机由于一系列高效节能的优点，在工农业生产、航空航天、国防和日常生活中得到广泛应用，并且受到许多学者的关注，其研究领域主要涉及永磁同步发电机的设计、精确性能分析、控制等方面。 本课题作为国家自然科学基金项目《无刷无励磁机谐波励磁的混合励磁永磁电机的研究》的课题，主要研究永磁电机的电磁场空载和负载计算，求出永磁电机的电压波形和电压调整率，为分段式转子的混合励磁永磁电机的研究奠定基础，主要做了以下工作： 首先介绍了永磁同步发电机的基本原理，包括永磁同步发电机的结构形式和永磁同步发电机的运行性能，采用传统解析理论给出了电压调整率的计算方法及外特性的计算模型；然后用有限元ANSYS对永磁同步发电机样机进行实体建模，经过定义分配材料、划分网格、加边界条件和载荷、求解计算等，得到矢量磁位Az、磁场强度H、磁感应强度B等结果，直观地看出电机内部的磁场分布情况。 其次根据电磁场计算结果，应用齿磁通法对其进行后处理。该方法求解转子在一个齿距内不同位置处的磁场，以定子齿的磁通为计算单位，根据绕组与齿的匝链关系，计算出磁链随时间的变化，进而得到永磁同步发电机空、负载时电压大小及波形。通过计算结果写实验结果对比，验证了齿磁通法的正确性，为计算永磁同步发电机各种性能特性提供有力工具。 最后，基于齿磁通法对永磁同步发电机的外特性进行了深入研究，定量分析了结构参数对外特性的影响规律，提出了有效降低电压调整率的方法的是：增加气隙长度g的同时，适当增加永磁体的磁化方向的长度hm；此外，要尽量的减少每相串联匝数N和增大导线面积以减小阻抗参数。通过改变电机的结构参数，对其电磁场进行计算，找到永磁电机电压调整率的变化规律，为加电励磁的混合励磁永磁电机做准备，达到稳定输出电压的目的。
上传时间： 2013-04-24
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心音信号是人体最重要的生理信号之一，包含心脏各个部分如心房、心室、大血管、心血管及各个瓣膜功能状态的大量生理病理信息。心音信号分析与识别是了解心脏和血管状态的一种不可缺少的手段。本文针对目前该研究领域中存在的分析方法问题和分类识别技术难点展开了深入的研究，内容涉及心音构成的分析、心音信号特征向量的提取、正常心音信号（NM）和房颤（AF）、主动脉回流（AR）、主动脉狭窄（AS）、二尖瓣回流（MR）4种心脏杂音信号的分类识别。本文的工作内容包括以下5个方面： a）心音信号采集与预处理。本文采用自行研制的带有录音机功能的听诊器实现对心音信号的采集。通过对心音信号噪声分析，选用小波降噪作为心音信号的滤波方法。根据实验分析，选择Donoho阈值函数结合多级阈值的方法作为心音信号预处理方案。 b）心音信号时频分析方法。文中采用5种时频分析方法分别对心音信号进行了时频谱特性分析，结果表明：不同的时频分析方法与待分析心音信号的特性有密切关系，即需要在小的交叉项干扰与高的时频分辨率之间作综合的考虑。鉴于此，本文提出了一种自适应锥形核时频（ATF）分析方法，通过实验验证该分布能较好地反映心音信号的时频结构，其性能优于一般锥形核分布（CKD）以及Choi-Williams分布（CWD）、谱图（SPEC）等固定核时频分析方法，从而选择自应锥形核时频分析方法进行心音信号分析。 c）心音信号特征向量提取。根据对3M Littmann（） Stethoscopes[31]数据库中标准心音信号的时频分析结果，提取8组特征数据，通过Fihser降维处理方法提取出了实现分类可视化，且最易于分类的心音信号的2维特征向量，作为心音信号分类的特征向量。 d）心音信号分类方法。根据心音信号特征向量组成的散点图，研究了支持向量机核函数、多分类支持向量机的选取方法，同时，基于分类的目的 性和可信性，本文提出以分类精度最大为判断准则的核函数参数与松弛变量的优化方法，建立了心音信号分类的支持向量机模型，选取标准数据库中NM、AF、AR、AS、MR每类心音信号的80组2维特征向量中每类60组数据作为支持向量机的学习样本，对余下的每类20组数据进行测试，得到每类的分类精度（Ar）均为100％，同时对临床上采集的与上述4种同类心脏杂音信号和正常心音信号中每类24个心动周期进行分类实测，分类精度分别为：NM、AF、MR的分类精度均为100％，而AR、AS均为95．83％，验证了该方法的分类有效性。 e）心音信号分析与识别的软件系统。本文以MATLAB语言的可视化功能实现了心音信号分析与识别的软件运行平台构建，可完成对心音信号的读取、预处理，绘制时-频、能量特性的三维图及两维等高线图；同时，利用MATLAB与EXCEL的动态链接，实现对心音信号分析数据的存储以及统计功能；最后，通过对心音信号2维特征向量的分析，实现心音信号的自动识别功能。 本文的研究特色主要体现在心音信号特征向量提取的方法以及多分类支持向量机模型的建立两方面。 综上所述，本文从理论与实践两方面对心音信号进行了深入的研究，主要是采用自适应锥形核时频分析方法提取心音信号特征向量，根据心音信号特征向量组成的散点图，建立心音信号分类的支持向量机模型，并对正常心音信号和4种心脏杂音信号进行了分类研究，取得了较为满意的分类结果，但由于用于分类的心脏杂音信号种类及数据量尚不足，因此，今后的工作重点是采集更多种类的心脏杂音信号，进一步提高心音信号分类精度，使本文研究成果能最终应用于临床心脏量化听诊。 关键词：心音信号，小波降噪，非平稳信号，心脏杂音，信号处理，时频分析，自适应，支持向量机
上传时间： 2013-04-24
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