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esr

  • 高压贴片电容选型和规格型号大全

    1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术,使电容值大为扩大 2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性 3.极高的精确度,在进行自动装配时有高度的准确性 4.因仅有陶瓷和金属构成,故即便在高温,低温环境下亦无渐衰的现象出现,具有较强可靠性与稳定性 5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计 6.残留诱导系数小,确保上佳的频率特性 7.因电解电容器领域也获得了电容,故使用寿命延长,更造于具有高可靠性的电源 8.由于esr低,频率特性良好,故最适合于高频,高密度类型的电源

    标签: 贴片电容 规格 型号 选型

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:hull021

  • LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

    摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。 关键词:LDo;稳定性;esr;动态频率补偿

    标签: LDO 线性稳压器 动态 电路设计

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:gtf1207

  • 电源完整性设计详解

    1 为什么要重视电源噪声问题? 2 电源系统噪声余量分析 3 电源噪声是如何产生的? 4 电容退耦的两种解释 4.1 从储能的角度来说明电容退耦原理。 4.2 从阻抗的角度来理解退耦原理。 5 实际电容的特性 6 电容的安装谐振频率 7 局部去耦设计方法 8 电源系统的角度进行去耦设计 8.1 著名的Target Impedance(目标阻抗) 8.2 需要多大的电容量 8.3 相同容值电容的并联 8.4 不同容值电容的并联与反谐振(Anti-Resonance) 8.5 esr 对反谐振(Anti-Resonance)的影响 8.6 怎样合理选择电容组合 8.7 电容的去耦半径 8.8 电容的安装方法 9 结束语

    标签: 电源完整性

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:mahone

  • 陶瓷输入电容可导致过压瞬变

      A recent trend in the design of portable devices has beento use ceramic capacitors to filter DC/DC converter inputs.Ceramic capacitors are often chosen because of theirsmall size, low equivalent series resistance (esr) and highRMS current capability. Also, recently, designers havebeen looking to ceramic capacitors due to shortages oftantalum capacitors.

    标签: 陶瓷 输入电容 过压

    上传时间: 2013-11-05

    上传用户:comer1123

  • LDO稳压器等效串联电阻的稳定范围

    本文研究LDO稳压器等效串联电阻(esr)值的稳定范围。用LDO稳压器ac模式讨论LDO频率响应。检验稳定和非稳定esr范围。

    标签: LDO 稳压器 串联电阻 等效

    上传时间: 2013-11-18

    上传用户:xwd2010

  • LY6206线性稳压芯片LDO原文资料

    LY6206系列是一款高精度,低功耗,3引脚LDO高电压调整器芯片,并采用CMOS工艺和激光微调技术. 在输出电流较大的情况下,输入输出压差也能很小。 LY6206系列芯片内部包括一个电流限制电路,一个驱动三极管,一个高精度参考电压源和一个误差校正电路,可使用低esr陶瓷电容.电流限制器的foldback电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光微调技术,可设定芯片的输出电压,其范围是1.2V至5.0V,间隔100mV,输出电压1.2V-3.6V封装SOT23-3/SOT23-5/SOT89-3

    标签: 6206 LDO LY 线性稳压芯片

    上传时间: 2013-11-15

    上传用户:thuyenvinh

  • NCV4275A带复位输出的LDO稳压器产品简介手册

    NCV4275A是一个低功耗的低压差稳压器,可用在恶劣的环境中。NCV4275A的工作温度范围为:-40~150℃,输入电压范围为:-42~45V,输出电压为3.3V或5.0V,额定电流为450毫安,其中输出电压的稳定性与输出电容的esr有关。此外该器件还提供了过流保护、过热保护和可编程器件复位等功能。

    标签: 4275A 4275 NCV LDO

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:wang5829

  • 基于AVR晶体管测试仪(包括原理图 PCB源程序 3D外壳文件等)

    描述:晶体管测试仪是一个很实用的小工具,它可以全自动测量电阻,电容、电感,对于电感和电容,还能测试出等效串联电阻(esr)。除此之外,它还可以自动识别二极管、BJT、MOSFET等元件,并且测量他们的相关属性。这一切所有的操作都只需要简单的将元件连接到测试座上,甚至不需要区分管脚顺序。测试仪可以自动分辨它们并识别出管脚的顺序。原理图:PCB:

    标签: avr 晶体管测试仪

    上传时间: 2022-01-22

    上传用户:fliang

  • 中文UCC2895相移全桥控制设计

    IC-Ucc28950改进的相移全桥控制设计UcC28950是T公司进一步改进的相移全桥控制C,它比原有标准型UCC2895主要改进为Zvs能力范围加宽,对二次侧同步整流直接控制,提高了轻载空载转换效率,而且此时可以ON/OFF控制同步整流成为绿色产品。既可以作电流型控制,也可以作电压型控制。增加了闭环软启动及使能功能。低启动电流,逐个周期式限流过流保护,开关频率可达1MHz UCC28950基本应用电路如图1所示,内部等效方框电路如图2所示。*启动中的保护逻辑UCC28950启动前应该首先满足下列条件:*VDD电压要超过UvLo阈值,73V*5V基准电压已经实现*芯片结温低于140℃。*软启动电容上的电压不低于0.55V。如果满足上述条件,一个内部使能信号EN将产生出来,开始软启动过程。软启动期间的占空比,由Ss端电压定义,且不会低于由Twm设置的占空比,或由逐个周期电流限制电路决定的负载条件电压基准精确的(±1.5%5V基准电压,具有短路保护,支持内部电路,并能提供20mA外部输出电流,其用于设置DCDC变换器参数,放置一个低esr,ESL瓷介电容(1uF-2.2uF旁路去耦,从此端接到GND,并紧靠端子,以获得最佳性能。唯一的关断特性发生在C的VDD进入UVLo状态。*误差放大器(EA+EA,COMP)误差放大器有两个未提交的输入端,EA+和EA-。它具有3MHz带宽具有柔性的闭环反馈环。EA+为同相端,EA-为反向端。COMP为输出端输入电压共模范围保证在0.5V-3.6V。误差放大器的输出在内部接到pWM比较器的同相输入端,误差放大器的输出范围为0.25V4.25V,远超出PwM比较器输入上斜信号范围,其从0.8v-2.8V。软启动信号作为附加的放大器的同相输入,当误差放大器的两个同相输入为低,是支配性的输入,而且设置的占空比是误差放大器输出信号与内部斜波相比较后放在PWM比较器的输入处。

    标签: ucc2895

    上传时间: 2022-03-31

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