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深入了解drain技术,探索其在半导体器件设计中的核心作用。从MOSFET到IGBT,drain作为关键节点直接影响着功率转换效率与热管理性能。本页面汇集了15个精选资源,涵盖理论分析、仿真模型及实际应用案例,帮助工程师掌握优化电路设计、提升系统可靠性的方法。无论是初学者还是资深专家,都能在这里找到宝贵的学习资料和技术灵感。立即访问,开启您的专业成长之旅!

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在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier...

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  VIPER22A的内部结构可知,它与其它开关电源存在一些不同。开机后,300V的直流电压从DRAIN(漏极)脚进入集成电路,经整流和稳压后供给开关电源IC工作,从而使这个电路工作时不需要外接启动电阻。即使Vdd供电电路不正常,电源电路的振荡电路仍能起振,而且电路有输出电压。用这种专用电源IC的D...

👤 1039312764 ⬇️ 87 次下载

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