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architecture-body-sensor

  • DVHOP

    实现无线传感器网络定位DV-Hop算法的matlab源码-Wireless sensor network localization DV

    标签: DVHOP

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:hgy9473

  • OPC_Unified_Architecture

    OPC UA作为opc规范的新方向,使得自动化系统构架更加开放、便捷。-OPC Unified Architecture.pdf

    标签: OPC_Unified_Architecture

    上传时间: 2013-06-16

    上传用户:zsjinju

  • 独立蜂鸣煤气报警

    HT45F43 特性特性特性特性 MCU 特性:内建 2x OPAs & 2x Comparators, EEPROM, HIRC 4MHz + 32K LIRC,节省外部器件 传感器:电化学 Sensor(ME2-CO) 电源电压:9V 碱性电池 高音量蜂鸣器输出:(>85DB) 待机电流:Typ.21uA, Max.27uA 低电压检测:7.5V 自测 / 校准功能 LED 显示:红、黄、绿三颗 LED 指示 使用 HT45F43 内建 OSC & Reset 电路,节省外部器件 使用 HT45F43 内建 OPA 进行 CO Sensor 信号放大,节 省外部器件 WATCHDOG 每 32 秒唤醒一次进行 CO 浓度侦测和电池电压侦测

    标签: 独立 煤气 报警 蜂鸣

    上传时间: 2013-06-16

    上传用户:qunquan

  • Computer Architecture: A Quantitative Approach

    ·【作      者】 John L. Hennessy同作者书籍 【出  版 社】 Morgan Kaufmann 【书      号】 1558605967 【开      本】 16 开 【页   &nbs

    标签: nbsp Architecture Quantitative Computer

    上传时间: 2013-05-28

    上传用户:wqxstar

  • 精典的C算法300例子

    ·文件列表:   1998.C   A24.C   A25.C   A26.C   ADD_F.C   ARF.C   ARR.C   BINARY.C   BINARY1.C   BODY.C   C1.H   C2.H   C3.H   C31.H &nbs

    标签: 300 算法

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:a155166

  • ov7725寄存器配置

    该文件是OV7725即30万摄像头sensor的寄存器配置信息,内部的源码,针对不同的开发环境可以做适当修改

    标签: 7725 ov 寄存器

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:784533221

  • BF3008 design guide

    比亚迪VGA CMOS SENSOR

    标签: design guide 3008 BF

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:瓦力瓦力hong

  • 高集成数字RF调制器解决方案

    Abstract: A digital RF modulator, an integrated solution that satisfies stringent DOCSIS RF-performancerequirements, takes advantage of modern technologies like high-performance wideband digital-to-analogconversion and CMOS technology scaling. This application note describes the concept and advantages ofa digital quadrature amplitude modulation (QAM) modulator that uses the direct-RF architecture to enablea cable access platform (CCAP) system.

    标签: 集成 数字RF 调制器 方案

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:drink!

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区,就能大大提高耐压呢? 对于常规VDMOS,反向耐压,主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结,对于一个PN结,耐压时主要靠的是耗尽区承受,耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积,也就是下图中的浅绿色部分,就是承受电压的大小。常规VDMOS,P body浓度要大于N EPI, PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散,所以此结构下,P body区域一侧,耗尽区扩展很小,基本对承压没有多大贡献,承压主要是P body--N EPI在N型的一侧区域,这个区域的电场强度是逐渐变化的,越是靠近PN结面(a图的A结),电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • 加载,感应DAC应用

    Abstract: This article discusses application circuits for Maxim force/sense digital-to-analog converters (DACs). Applications include:selectable fixed-gain DAC, programmable gain DAC, photodiode bias control, amperometric sensor control, digitally programmablecurrent source, Kelvin load sensing, temperature sensing, and high current DAC output. A brief description of the various DAC outputconfigurations is also given.

    标签: DAC

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:youmo81