本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
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直接调制将基带信号直接转换为射频信号，不需要二次频率变换，与上变频方式相比系统结构简单，降低了对滤波器的要求，具有体积小，重量轻，成本低等明显的优点.1/Q正交调制的关键指标是误差矢量（EVM：Error Vector Magnitude）.本文研究的是微波波段的直接调制技术。利用基带对L波段和s波段几个不同的载波进行直接调制。首先，在阐述1/Q正交调制基本原理的基础上，通过对误差矢量和邻近信道功率泄漏的详细分析，定性、定量地讨论了各种非理想电路因素（如相位不平衡、幅度不平衡、直流偏差等）对调制器性能的影响；其次，介绍了锁相环的工作原理和基本组成部分，包括锁相环的设计和环路滤波器的设计，特别详述了电荷泵锁相频率源；第三，介绍了采用直接调制技术模拟卫星信号的射频前端的设计；最后，对整个直接射频调制系统进行测试，结果基本上达到了课题要求。关键词：微波锁相环，相位噪声，直接调制
标签： 射频调制
上传时间： 2022-06-20
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论文的主要工作和研究成果可以概括为以下几个方面：1，分析了微波射频滤波器的基本原理，频率变换规则。阐述了微波滤波器的新技术及其应用.2，研究分析了螺旋滤波器的基本理论，设计了一种工作在VHF/UHF波段的螺旋腔体带阻滤波器。论文以传统的带状线带阻滤波器作为着手点，采用电容耦合短截线谐振结构，将同轴线谐振器变换成螺旋线结构，有效地缩小了滤波器的体积。3，提出了一种结构新额的微带平面结构滤波器，采用双模谐振器结构形式。V/在辐射贴片上开十字交叉槽线来降低谐振频率。滤波器的输入输出请振臂使用L形开路结构，带外抑制非常好，高达-33dB，二次谐波被推移到基波的3倍频以外。论文采用理论分析与计算机辅助设计相结合的设计理念。对螺旋腔体带阻滤波器和双模微带带通滤波器进行了实物加工，实测结果与仿真结果相吻合.关键词：射频；滤波器；螺旋谐振器：双模谐振器
标签： 射频滤波器
上传时间： 2022-06-20
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射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
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Tanner版图流程举例（反相器）集成电路设计近年来发展相当迅速，许多设计需要借助计算机辅助设计软件。作为将来从事集成电路设计的工作人员，至少需要对版图有所了解，但是许多软件（如cadence）实在工作站上执行的，不利于初学者。L-Edit软件是基于PC上的设计工具，简单易学，操作方便，通过学习，掌握版图的设计流程。Tanner Pro简介：Tanner Pro是一套集成电路设计软件，包括S-EDIT，T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，与LVS，他们的主要功能分别如下：1、S-Edit：编辑电路图2，T-Spice：电路分析与模拟3，W-Edit：显示T-Spice模拟结果4，L-Edit：编辑布局图、自动配置与绕线、设计规则检查、截面观察、电路转化5、LVS：电路图与布局结果对比设计规则的作用设计规则规定了生产中可以接受的几何尺寸的要求和达到的电学性能。对设计和制造双方来说，设计规则既是工艺加工应该达到的规范，也是设计必循遵循的原则设计规则表示了成品率和性能的最佳折衷
标签： cmos
上传时间： 2022-06-21
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Modbus寻址Modbus地址通常是包含数据类型和偏移量的5 个或6 个字符值。第一个或前两个字符决定数据类型，最后的四个字符是符合数据类型的一个适当的值。Modbus主设备指令能将地址映射至正确的功能，以便发送到从站。1 Modbus主站寻址Modbus主设备指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是离散输出（线圈）。(2) 10001 至19999是离散输入（触点）。(3) 30001 至39999是输入寄存器（通常是模拟量输入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 为基位，表示第一个数据值从地址1 开始。有效地址范围将取决于从站。不同的从站将支持不同的数据类型和地址范围。2 Modbus从站寻址Modbus从站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是实际输出，对应于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是实际输入，对应于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模拟输入寄存器，对应于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，对应于V 区。Modbus从站协议允许您对Modbus主站可访问的输入、输出、模拟量输入和保持寄存器（ V 区）的数量进行限定。MBUS_INIT指令的参数MaxlQ 指定Modbus主站允许访问的实际输入或输出（ I 或Q) 的最大数量。MBUS_INIT指令的MaxAl 参数指定Modbus主站允许访问的输入寄存器（ A 丨W)的最大数量。MBUS_INIT指令的MaxHold 参数指定Modbus主站允许访问的保持寄存器（V 存储区字）的最大数
上传时间： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值Timar 50 ℃），因此必须采用适当的散热装置，将热量传导到外部环境。如果散热装置设计或选用不当，这些大功率器件因过热而损坏。为了在确定的散热条件下设计或选用合适的散热器，确保器件安全、可靠地工作，我们需进行散热计算。散热计算是通过计算器件工作时产生的损耗功率Pa、器件允许的结温T、环境温度T，求出器件允许的总热阻R，f-a）；：再根据Raf-a）求出最大允许的散热器到环境温度的热阻Rinf-）：最后根据Rbf-a）选取具有合适热阻的散热器。1 IGBT损耗分析及计算对于H型双极模式PWM系统中使用的1GBT模块，主要由IGBT元件和续流二极管FWD组成，它们各自发生的损耗之和就是IGBT本身的损耗。除此，加上1GBT的基极驱动功耗，即构成IGRT模块整体发生的损耗。另外，发生损耗的情况可分为稳态时和交换时。对上述内容进行整理可表述如下：
上传时间： 2022-06-21
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1引言随着高r能永磁材料、电力电了技术、大规模集成电路和计算机技术的发展，永同步电机PMSMD）的应用领城不扩大。由于对电机控制性能的要求越来越高，因此如何建立有效的仿真模型越来受到人们的关注。本文在分析永司步电机数学模型的基础上，提出了一种PMSM控制系统建模的方法，在此仿真模型基础上，可以十分便捷地实现和验证控制算法。因此，它为分析和设计PMSM控制系统提供了有效的手段，也为实际电机控制系统的设计和调试提供了新的思路。2永磁同步电机的数学模型[]水磁同步电动机三相绕组分别为U.v.w，各相绕组平面的轴线在与转子轴垂直的平面上，三相绕组的电压回路方程如下；式中，U L，为各相绕组两端的电压14A为各相的线电流，中uoyow为相统组的总磁链，R为定子每相绕组的电阳：P为微外算子（d/at）.磁链方程为：
上传时间： 2022-06-22
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MSPFET配置及使用KIYA 设计的TXE610P、TXE690U、TXP700U、TXE705U、TXE708U、TXE709U工具可适应MSPFET环境的编程与加密应用。MSPFET 是俄罗斯工程师发布的一款免费编程环境，支持JTAG和BSL编程、熔断熔丝加密；支持TI 及其兼容工具。最新版本为V1.6.1007 。现在联线PC + TX工具 + 目标板。在[Setup] 中配置通信接口，从uv 均可选择LPT并口应用于TXE610P；从v 可选择[TIUSB] 接口应用TXE690U、TXE705U、TXE708U、TXE709U；选w 可应用于TXE690U、TXP700U。点应用笔记查看关于MSPFET环境特别注意事项。从
上传时间： 2022-06-22
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本文首先对黑体辐射理论和双波段比值测温理论进行研究，探讨在近红外区域对高温炉窑进行比值测温的可行性；针对工业高温炉窑辐射的峰值位置在中红外区域，近红外区域的辐射仍然比较低，且普通CCD在近红外区域响应很低的状况，综合考虑后选择近红外增强型CCD作为探测器；根据所选CCD本文设计了一套完整的双波段测温系统的硬件框架，由Sony公司的近红外增强型黑白CCDICX255AL，10位输出模数转换器AD9991、带有USB接口的可编程增强型8051处理器芯片Cy7c68013和EEPROM存储器等完成功能，并提出双波段测温摄像机的分束和滤光系统的设计方案；由于光学分束镜和滤光片都需要定制镀膜，本文首先设计的硬件系统是单波段系统，本系统的硬件电路有两块线路板：以ICX255ALCCD和AD9991为核心的图像采集板和带USB接口的8051处理器芯片Cy7c68013为核心的控制板，这两块PCB均为2层电路板；还开发了相应的固件程序、设备驱动程序和应用程序，对所设计的各个功能模块分别进行了测试和调试，计算机能通过USB口读取图像并在屏幕上显示，获得了良好的效果；由于本文设计的硬件系统实际上是单波段的，为了验证双波段测温的效果，本文采用ASD FieldSpec HandHeld型光谱仪测量模拟黑体辐射源（工业炉密的炉膛也是个近似黑体辐射源）的辐射，用测得的光谱数据模拟计算，获得了良好的测温效果。
上传时间： 2022-06-22
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