M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件，采用2.7V-3.6V单电源供电，兼容标准的SPI接口，器件在上升沿接收数据，在下降沿发送数据，接口时钟最高为40MHz，支持最大256bytes的快速页面编程操作、快速的块擦除（512Kbit）操作和快速的整体擦除（8MHz）操作；具有操作暂停和硬件写保护功能。
上传时间： 2015-09-05
上传用户：txfyddz
本出版物中所述的器件应用信息及其它类似内容仅为建议，它 们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范，是您自 身应负的责任。Microchip Technology Inc. 不会就这些信息的 准确性或使用方式作出任何陈述或保证，也不会对因使用或以 其它方式处理这些信息而引发的侵犯专利或其它知识产权的行 为承担任何责任。未经Microchip 书面批准，不得将Microchip 的产品用作生命维持系统中的关键组件。在知识产权保护下， 不得暗中或以其它方式转让任何许可证。
标签： 器件
上传时间： 2016-02-18
上传用户：270189020
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标签： 器件
上传时间： 2016-02-18
上传用户：独孤求源
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标签： 器件
上传时间： 2014-01-07
上传用户：qwe1234
可编程逻辑器件相关专辑 96册 1.77G微型机继电保护原理 216页 6.3M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
功率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用；但它承受短时过载的能力较弱，使 其应用受到一定的限制。分析了MOSFET 器件驱动与保护电路的设计要求；计算了MOSFET 驱动器的功耗及MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配；设计了基于IR2130 驱动模块的 MOSFET 驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在驱动无 刷直流电机的应用中证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
标签： mosfet 保护
上传时间： 2016-01-11
上传用户：ganglike
用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，与器件制造工艺兼容!键合温度低!有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。
上传时间： 2016-07-26
上传用户：leishenzhichui
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料:AD集成封装库列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 数字温湿度传感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9轴运动处理传感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 测试点TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上传时间： 2021-12-15
上传用户：ttalli
1电压型PWM控制器过流保护固有问题目前国内常见的IGBT逆变弧焊机PWM控制器通常采用TL494.SG3525等电压型集成芯片，电流反馈信号一般取自整流输出端，当输出电流信号由分流器检出电流与给定电流比较后，经比例积分放大器大，控制输出脉冲宽度IGBT导通后，即使产生过电流，PWM控制电路也不可能及时关断正在导通的过流脉冲由于系统存在延退环节，过流保护时间将延长.2电流型过流保护电流型PWM控制电路反馈电流信号由高频变压器初级端通过电流互感器取得，由于电流信号取自变压器初级，反应速度快，保护信号与正在流过IGBT的电流同步，一旦发生过流PWM立即关断输出脉冲，IGBT获得及时保护，电流型PwM控制器固有的逐个脉冲检测瞬时电流值的控制方式对输入电压和负载变化响应快，系统稳定性好同意老兄的观点，在实际应用中电压型PWM确实占了大多数，但过流保护取样也可以从变压器初级取，通过互感线圈或霍尔传感器取得过流信号，比如控制3525的8脚，这点深圳瑞凌的焊机做的不错，可以很好保护开关管过流.如何通过检测手段判断一种逆变电源的主电路是否可靠，我认为可以从开关器件和主变压器的空载和负载状态下的电流电压波形来分析，从而针对性的调整开关器件参数及过流过压缓冲元件参数以及高频变压器的参数，难点在于如何选择匹配.
上传时间： 2022-06-19
上传用户：fliang
