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TTL芯片

  • 基于555芯片的电容测试仪的设计

    本文介绍了使用两块555芯片和一块324芯片设计一个电容测试仪的实际电路,实现了将电容容值通过数字电压表的直流档直接读出来的功能。并在文后给出了实验数据。

    标签: 555 芯片 电容测试 仪的设计

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:时代将军

  • 74系列数字芯片资料-7474

    74系列数字芯片相关资料

    标签: 7474 74系列 数字 芯片资料

    上传时间: 2013-10-24

    上传用户:1406054127

  • 定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别

    555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555,用 CMOS 工艺制作的称为 7555,除单定时器外,还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽,可在 4.5V~16V 工作,7555 可在 3~18V 工作,输出驱动电流约为 200mA,因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低,性能可靠,只需要外接几个电阻、电容,就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。555 定时器的内部包括两个电压比较器,三个等值串联电阻,一个 RS 触发器,一个放电管 T 及功率输出级。它提供两个基准电压VCC /3 和 2VCC /3 555 定时器的功能主要由两个比较器决定。两个比较器的输出电压控制 RS 触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压,当 5 脚悬空时,则电压比较器 A1 的反相输入端的电压为 2VCC /3,A2 的同相输入端的电压为VCC /3。若触发输入端 TR 的电压小于VCC /3,则比较器 A2 的输出为 1,可使 RS 触发器置 1,使输出端 OUT=1。如果阈值输入端 TH 的电压大于 2VCC/3,同时 TR 端的电压大于VCC /3,则 A1 的输出为 1,A2 的输出为 0,可将 RS 触发器置 0,使输出为 0 电平。

    标签: 7555 7556 555 556

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:PresidentHuang

  • 555芯片用于组成单稳态触发器、施密特触发器以及多谐振荡器

    555芯片用于组成单稳态触发器、施密特触发器以及多谐振荡器。

    标签: 555 芯片 单稳态触发器 施密特触发器

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:fredguo

  • 74系列芯片功能大全

    74系列芯片功能大全

    标签: 74系列 芯片 功能大全

    上传时间: 2013-12-21

    上传用户:xa_lgy

  • 秒表课程设计(非单片机的,基于74芯片的)

    秒表课程设计,非单片机的,基于74芯片的

    标签: 单片机 74芯片

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:whenfly

  • CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计

    为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试,提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1 mm×1 mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片,流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。

    标签: CMOS 工艺 多功能 数字芯片

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:小鹏

  • 74系列芯片手册大全

    74系列芯片总汇

    标签: 74系列 芯片手册

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:blacklee

  • 混合信号芯片STA400芯片手册

    支持IEEE1149.4标准的芯片资料

    标签: STA 400 混合信号 芯片

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:dianxin61

  • CMOS和TTL电路探讨

    通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大,作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

    标签: CMOS TTL 电路

    上传时间: 2013-11-22

    上传用户:DE2542