本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：lijinchuan
双T网络
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上传时间： 2013-10-20
上传用户：txfyddz
240*128液晶的驱动电路，外设ds1302+ds18b20
上传时间： 2013-10-26
上传用户：changeboy
设计了一种数字跟踪式复合结构的压电陶瓷驱动电源。采用数字式自适应信号源，驱动高精度运放OP07和高压大电流运放PA04组成复合式放大器，通过合理的相位补偿、保护电路设计和散热计算，实现高精度低漂移的压电陶瓷驱动。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：aeiouetla
提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻，使PDN的损耗增加，从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型，借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明，在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻，可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时，分析了引入电阻对去耦效果的影响。当引入电阻小于0.45 Ω时，可通过增加去耦电容并联个数来补偿引入电阻对去耦的影响。
上传时间： 2013-11-16
上传用户：dick_sh
功率MOSFET的驱动电路和保护技术
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wutong
微弧氧化是一种新型的表面处理方法，利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲，且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状，然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。实验表明，Eupec系列的2ED300驱动电路结构简单，可靠性高，适用于大功率微弧氧化电源的驱动。
上传时间： 2014-01-21
上传用户：hahayou
利用SG3525产生SPWM纯硬件逆变驱动原理图
上传时间： 2013-11-17
上传用户：zhuoying119
IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可工作，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目，降低了产品成本，提高了系统可靠性。
上传时间： 2014-01-05
上传用户：tom_man2008
图灵_LED驱动电路设计_157页_11.1M_清晰书签版
上传时间： 2014-12-24
上传用户：bjgaofei
