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Spectre

  • 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

    介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR),整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

    标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:thesk123

  • 一种低功耗,高性能微处理器复位芯片的设计

    针对广泛使用电池供电的系统,由于电源电压监控的要求,系统复位电路的可靠性对整个系统的稳定性起着非常重要的作用,本文研究并设计一种低功耗,高性能的复位芯片,可以在系统上电,掉电的情况下向微处理器提供复位信号。当电源电压低于预设的门槛电压时,输出复位信号并在电源电压恢复到门槛电压以上继续持续复位一段时间,实现整个系统的平稳恢复,复位信号低电平有效。该芯片采用CMSC035标准CMOS工艺实现,采用Cadence Spectre仿真,工作电流仅为10 μA。该芯片已成功应用于工业类控制系统中。

    标签: 低功耗 性能 微处理器 复位芯

    上传时间: 2014-12-24

    上传用户:Late_Li

  • LDO线性稳压电源管理芯片设计

    论文首先论述了线性稳压电源的基本原理,以此为基础对系统设计进行整体考虑,构建了系统整体架构,并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法对系统稳定性进行了分析讨论,根据系统稳定性原理,采用电容反馈补偿措施以确保系统稳定可靠根据设计指标,论文详细设计了芯片内部电路模块,包括:带隙基准电压源、误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等,通过综合比较晶体管的性能,确定调整管的类型,在基准电生源设计中,采用了电流相加的新型电路结构,使输出基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性,而且克服了传统电路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点,提高了模块的可移植性,并充分考虑了低电压低功耗设计;在过热保护电路设计中,采用温度迟滞系统,克服了单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。借助Cadence Spectre仿真软件完成仿真验证,实验结果表明,该系统在正常工作时,能得到3V稳定的输出电压,压降仪为150mv;在1K时电源抑制比为65.55dB,在10K时电源抑制比为50dB:在温度范围(-30℃-90℃)内系统能保持良好的稳定性,达到了设计要求,并完成了主要电路模块的版图设计与验证。

    标签: ldo 电源管理

    上传时间: 2022-06-23

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