SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。 ...
SiCOI技术资料
📦 资源总数：1
💻 源代码：1
🔥 SiCOI热门资料
📂 SiCOI资料分类