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系统设计方案  SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文

SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文

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matlab例程  论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能

论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能，绘制误比特率～信噪比曲线。发端初始化=============================================================== 发射天线数tx,接收天线数rx,发射矩阵长度L(帧长)

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PCB图/BOM单/原理图  SiC双脉冲测试板资料

Cree公司生产的SiC MOSFET器件，型号C2M00802012D，在应用器件前需要进行双脉冲实验，实验中用到的主电路原理图（包括PCB文件），驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交厂制作，不需修改。

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技术资料  SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装

ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...

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技术资料  SiC功率半导体器件发展历程优势和发展前景讲解

该文档为SiC功率半导体器件发展历程、优势和发展前景概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………

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技术资料  SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结

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技术资料  基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器

基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器   分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo

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技术资料  半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状，范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求，且不需 ...

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技术资料  SiC 功率器件・模块应用笔记

本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块，面向各种应用，SiC器件的优势和使用上的注意点，从初次接触SiC器件到熟知产品的各位，都可以得到应用和帮助

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技术资料  SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解

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