SiC+MOSFET

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IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动光电耦合器脉冲变压器

2024-05-19 10 SiC+MOSFET

该文档为SiC功率半导体器件发展历程、优势和发展前景概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………

2021-12-15 11 SiC+MOSFET

半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...

2022-01-03 11 SiC+MOSFET

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2013-11-18 194 SiC+MOSFET

关于MOSFET应用时的热设计方法。

2013-10-31 190 SiC+MOSFET

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2013-10-09 64 SiC+MOSFET

2013-10-22 170 SiC+MOSFET

深入解析大功率开关电源中功率MOSFET的驱动原理与优化方法，涵盖驱动电路设计、信号匹配及损耗控制等关键技术，适合电力电子工程师提升实际应用能力。

2026-03-07 3 SiC+MOSFET