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芯片特点内核高级STM8内核,具有3级流水线的哈弗结构扩展指令集存储器程序存储器:8K字节Flash;10K次擦后在55°(环境下数据可保存20年数据存储器:640字节真正的数据EEPROM;可达30万次擦写RAM:1K字节时钟、复位和电源管理2.95到5.5V工作电压灵活的时钟控制,4个主时钟源-...

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