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查看全部 500 份 →SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景
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2022-02-14
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SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
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2021-12-15
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SiC功率半导体器件的优势和发展前景(刘)(2015)
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2022-02-14
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基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟
提出了SiC-SBD 气体传感器器件分析模型，利用当前流行的MATLAB 强大的计算编程功能，模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性，结果与实验数据吻合很好，较好地解释了Pd-S
2024-02-02
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半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求...
2022-01-03
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