这是我用vhdl语言，在fpga内部做了一个双口ram的程序。我的邮箱：wleechina@163.com
上传时间： 2013-09-02
上传用户：jhksyghr
1、 利用FLEX10的片内RAM资源，根据DDS原理，设计产生正弦信号的各功能模块和顶层原理图； 2、 利用实验板上的TLC7259转换器，将1中得到的正弦信号，通过D/A转换，通过ME5534滤波后在示波器上观察； 3、 输出波形要求： 在输入时钟频率为16KHz时，输出正弦波分辨率达到1Hz； 在输入时钟频率为4MHz时，输出正弦波分辨率达到256Hz； 4、 通过RS232C通信，实现FPGA和PC机之间串行通信，从而实现用PC机改变频率控制字，实现对输出正弦波频率的控制。
上传时间： 2013-09-06
上传用户：zhuimenghuadie
Proteus6.7是目前最好的模拟单片机外围器件的工具，真的很不错。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外围电路（如LCD，RAM，ROM，键盘，马达，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其实proteus与multisim比较类似，只不过它可以仿真MCU！
上传时间： 2013-09-29
上传用户：swz13842860183
PROTEUS仿真用单片机系统板\r\n系统资源丰富：\r\n★ 内置RAM 32KB模块\r\n★ 内置8位动态数码显示模块\r\n★ 内置8X8点阵显示模块\r\n★ 4位静态数码显示模块\r\n★ 4位级联的74LS164串并转换模块\r\n★ 内置8通道8位A/D转换\r\n★ 内置8位D/A转换\r\n★ 内置2路SPI和I2C总线接口\r\n★ 内置4路1－Wire总线接口\r\n★ 内置4X4矩阵式键盘\r\n★ 内置4路独立式键盘\r\n★ 内置4路拨动开关\r\n★ 内置8位LED发光二
上传时间： 2013-09-30
上传用户：sssl
在软件Proteus中仿真ucos（ARM）\r\n1.移植除了OS_CPU.h,OS_CPU_A.s,OS_CPU_C.C 三个函数外，对中断专门用了一个函数OS_int_A.s 按其中的规则写中断函数即可. \r\n2。应用实例为\\ArmUCOS\\App\\test1\\test.mcp,在周立功2104的板子上的ram中就可直接运行(code＋data
上传时间： 2013-09-30
上传用户：s363994250
设计了一个嵌入式语音识别系统，该系统硬件平台以ADSP-BF531为核心，采用离散隐马尔可夫模型(DHMM)检测和识别算法完成了对非特定人的孤立词语音识别。试验结果表明，该系统对非特定人短词汇的综合识别率在90%以上。该系统具有小型、高速、可靠以及扩展性好等特点;可应用于许多特定场合，有很好的市场前景。文中讲述了该系统CODEC、片外RAM、ROM以及CPLD等与DSP的接口设计，语音识别运用的矢量量化、Mel倒谱参数、Viterbi等有关算法及其实际应用效果。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：rolypoly152
提出了一种改进的基于直接频率合成技术（DDS）的任意波形发生器在现场可编程门阵列（FPGA）上的实现方法。首先将三角波、正弦波、方波和升/降锯齿波的波形数据写入片外存储器，当调用时再将相应的数据移入FPGA的片上RAM，取代分区块的将所有类型波形数据同时存储在片上RAM中的传统方法；再利用正弦波和三角波的波形在4个象限的对称性以及锯齿波的线性特性，通过硬件反相器对波形数据和寻址地址值进行处理，实现了以1/4的数据量还原出精度不变的模拟信号，从而将整体的存储量减小为原始设计方案的5%。经验证，这种改进方法正确可行，能够大大降低开发成本。
上传时间： 2013-12-25
上传用户：日光微澜
Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据、地址和控制线是否需加串阻。下面，我们以数据线D0仿真为例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司网站下载各器件IBIS模型。然后打开Hyperlynx,新建LineSim File(线路仿真—主要用于PCB前仿真验证)新建好的线路仿真文件里可以看到一些虚线勾出的传输线、芯片脚、始端串阻和上下拉终端匹配电阻等。下面，我们开始导入主芯片DSP的数据线D0脚模型。左键点芯片管脚处的标志，出现未知管脚，然后再按下图的红线所示线路选取芯片IBIS模型中的对应管脚。 3http://bbs.elecfans.com/ 电子技术论坛 http://www.elecfans.com 电子发烧友点OK后退到“ASSIGN Models”界面。选管脚为“Output”类型。这样，一样管脚的配置就完成了。同样将DRAM的数据线对应管脚和3245的对应管脚IBIS模型加上(DSP输出，3245高阻，DRAM输入)。下面我们开始建立传输线模型。左键点DSP芯片脚相连的传输线，增添传输线，然后右键编辑属性。因为我们使用四层板，在表层走线，所以要选用“Microstrip”，然后点“Value”进行属性编辑。这里，我们要编辑一些PCB的属性，布线长度、宽度和层间距等，属性编辑界面如下：再将其它传输线也添加上。这就是没有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最远直线间距1.4inch，对线长为1.7inch)。现在模型就建立好了。仿真及分析下面我们就要为各点加示波器探头了，按照下图红线所示路径为各测试点增加探头：为发现更多的信息，我们使用眼图观察。因为时钟是133M，数据单沿采样，数据翻转最高频率为66.7M，对应位宽为7.58ns。所以设置参数如下：之后按照芯片手册制作眼图模板。因为我们最关心的是接收端(DRAM)信号，所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手册的输入需求设计。芯片手册中要求输入高电平VIH高于2.0V，输入低电平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一个NOTE里指出，芯片可以承受最高5.6V，最低-2.0V信号(不长于3ns)：按下边红线路径配置眼图模板：低8位数据线没有串阻可以满足设计要求，而其他的56位都是一对一，经过仿真没有串阻也能通过。于是数据线不加串阻可以满足设计要求，但有一点需注意，就是写数据时因为存在回冲，DRAM接收高电平在位中间会回冲到2V。因此会导致电平判决裕量较小，抗干扰能力差一些，如果调试过程中发现写RAM会出错，还需要改版加串阻。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：dudu121
模块电源的电气性能是通过一系列测试来呈现的，下列为一般的功能性测试项目，详细说明如下： 电源调整率(Line Regulation) 负载调整率(Load Regulation) 综合调整率(Conmine Regulation) 输出涟波及杂讯(Ripple & Noise) 输入功率及效率(Input Power, Efficiency) 动态负载或暂态负载(Dynamic or Transient Response) 起动(Set-Up)及保持(Hold-Up)时间 常规功能(Functions)测试 1. 电源调整率 电源调整率的定义为电源供应器于输入电压变化时提供其稳定输出电压的能力。测试步骤如下：于待测电源供应器以正常输入电压及负载状况下热机稳定后，分别于低输入电压(Min)，正常输入电压(Normal)，及高输入电压(Max)下测量并记录其输出电压值。 电源调整率通常以一正常之固定负载(Nominal Load)下，由输入电压变化所造成其输出电压偏差率(deviation)的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 负载调整率 负载调整率的定义为开关电源于输出负载电流变化时，提供其稳定输出电压的能力。测试步骤如下：于待测电源供应器以正常输入电压及负载状况下热机稳定后，测量正常负载下之输出电压值，再分别于轻载(Min)、重载(Max)负载下，测量并记录其输出电压值(分别为Vo(max)与Vo(min))，负载调整率通常以正常之固定输入电压下，由负载电流变化所造成其输出电压偏差率的百分比，如下列公式所示： [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 3. 综合调整率 综合调整率的定义为电源供应器于输入电压与输出负载电流变化时，提供其稳定输出电压的能力。这是电源调整率与负载调整率的综合，此项测试系为上述电源调整率与负载调整率的综合，可提供对电源供应器于改变输入电压与负载状况下更正确的性能验证。 综合调整率用下列方式表示：于输入电压与输出负载电流变化下，其输出电压之偏差量须于规定之上下限电压范围内(即输出电压之上下限绝对值以内)或某一百分比界限内。 4. 输出杂讯 输出杂讯(PARD)系指于输入电压与输出负载电流均不变的情况下，其平均直流输出电压上的周期性与随机性偏差量的电压值。输出杂讯是表示在经过稳压及滤波后的直流输出电压上所有不需要的交流和噪声部份(包含低频之50/60Hz电源倍频信号、高于20 KHz之高频切换信号及其谐波，再与其它之随机性信号所组成))，通常以mVp-p峰对峰值电压为单位来表示。 一般的开关电源的规格均以输出直流输出电压的1%以内为输出杂讯之规格，其频宽为20Hz到20MHz。电源实际工作时最恶劣的状况(如输出负载电流最大、输入电源电压最低等)，若电源供应器在恶劣环境状况下，其输出直流电压加上杂讯后之输出瞬时电压，仍能够维持稳定的输出电压不超过输出高低电压界限情形，否则将可能会导致电源电压超过或低于逻辑电路(如TTL电路)之承受电源电压而误动作，进一步造成死机现象。 同时测量电路必须有良好的隔离处理及阻抗匹配，为避免导线上产生不必要的干扰、振铃和驻波，一般都采用双同轴电缆并以50Ω于其端点上，并使用差动式量测方法(可避免地回路之杂讯电流)，来获得正确的测量结果。 5. 输入功率与效率 电源供应器的输入功率之定义为以下之公式： True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即为对一周期内其输入电压与电流乘积之积分值，需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.，其中P.F.为功率因素(Power Factor)，通常无功率因素校正电路电源供应器的功率因素在0.6～0.7左右，其功率因素为1～0之间。 电源供应器的效率之定义为为输出直流功率之总和与输入功率之比值。效率提供对电源供应器正确工作的验证，若效率超过规定范围，即表示设计或零件材料上有问题，效率太低时会导致散热增加而影响其使用寿命。 6. 动态负载或暂态负载 一个定电压输出的电源，于设计中具备反馈控制回路，能够将其输出电压连续不断地维持稳定的输出电压。由于实际上反馈控制回路有一定的频宽，因此限制了电源供应器对负载电流变化时的反应。若控制回路输入与输出之相移于增益(Unity Gain)为1时，超过180度，则电源供应器之输出便会呈现不稳定、失控或振荡之现象。实际上，电源供应器工作时的负载电流也是动态变化的，而不是始终维持不变(例如硬盘、软驱、CPU或RAM动作等)，因此动态负载测试对电源供应器而言是极为重要的。可编程序电子负载可用来模拟电源供应器实际工作时最恶劣的负载情况，如负载电流迅速上升、下降之斜率、周期等，若电源供应器在恶劣负载状况下，仍能够维持稳定的输出电压不产生过高激(Overshoot)或过低(Undershoot)情形，否则会导致电源之输出电压超过负载组件(如TTL电路其输出瞬时电压应介于4.75V至5.25V之间，才不致引起TTL逻辑电路之误动作)之承受电源电压而误动作，进一步造成死机现象。 7. 启动时间与保持时间 启动时间为电源供应器从输入接上电源起到其输出电压上升到稳压范围内为止的时间，以一输出为5V的电源供应器为例，启动时间为从电源开机起到输出电压达到4.75V为止的时间。 保持时间为电源供应器从输入切断电源起到其输出电压下降到稳压范围外为止的时间，以一输出为5V的电源供应器为例，保持时间为从关机起到输出电压低于4.75V为止的时间，一般值为17ms或20ms以上，以避免电力公司供电中于少了半周或一周之状况下而受影响。 8. 其它 在电源具备一些特定保护功能的前提下，还需要进行保护功能测试，如过电压保护(OVP)测试、短路保护测试、过功保护等
上传时间： 2013-10-22
上传用户：zouxinwang
N79E8132移动电源方案功能介绍 本方案的特色是采用新唐生产的兼容MCS-51核心的N79E8132单片机，可以在-40度到85度温度范围内安全工作，具备4K FLASH，4K DATAFLASH，512B RAM，高精度10位ADC，内置带隙电压可省去外部参考电压，内置22.1184M、11.0592M振荡器，并具有可分频的时钟供单片机核心使用，可以根据性能需要灵活选择工作时钟，提高工作效率，具备外部中断、按键中断，可以灵活实现单片机进入掉电模式后的唤醒功能，具备停机、掉电模式，在产品不使用的时候进入掉电模式，实现环保节能，支持ICE仿真工具，ICP、串口ISP烧写，开发硬件成本低。软件开发可以使用KEIL C，容易上手。 充电部分采用通用的TP4056，价格便宜，容易采购，可以通过外部元件灵活配置充电电流。 升压部分采用日本精工的S8365，工作频率1.2M，外置MOS，容易实现大电流，高效率，电感小型化节省成本。 技术参数 1. 输入： USB 5V/1A ，充电电流可达500-850mA，可根据需要进行设置 2. 输出： USB 5V/1A，效率最高可达到90％以上，可根据需要提高到2A 3. 电量指示： （可根据需要自行设定） 四灯全亮 75%-100% 三个指示灯亮 50%-75% 两个灯亮 25%-55% 一个指示灯亮 5%-25% 无指示灯亮 5%以下 4.充电指示： 25%以下 一个指示灯闪 25%-50% 一个指示灯亮 第二个闪 50%--75% 二个指示灯亮 第三个闪 75%-99% 三个指示灯亮 第四个闪 100% 四个指示灯长亮。 5．智能保护： 低电保护：电池电压低于3V时自动关闭升压 放电保护：放电电流大于额定电流自动关闭升压输出(1A模式设置为1.5A保护) 温度保护：检测电池温度，高于55度自动关闭升压输出（可选） 低电流关机：当外部设备的电流需求小于100mA时，关闭升压输出以节省电力。 6．按键操作： 短按按键，4个LED显示剩余电量3～5秒自动关闭 按键长按， LED点亮，闪烁3次后开启升压，显示电量，30秒内没有连接外部设备自动关机。 开机状态长按，点亮照明LED，再长按熄灭照明LED，照明LED点亮状态不会进入自动关机 带照明功能。（可选）8．原理图 9．BOM 序号 类型 参数 位号 封装 数量 1 IC N79E8132AS16 U2 SO16 1 2 IC S8365C U4 SOT26 1 3 IC TP4056 U3 SO8M1T 1 4 贴片电阻 0.1R R25 1206 1 5 贴片电阻 1A R28 1812 1 6 贴片电阻 22R R24 0603 1 7 贴片电阻 22R R30 0805 1 8 贴片电阻 100R R3 0805 1 9 贴片电阻 1K R1 R11 R12 R13 R14 0603 5 10 贴片电阻 2.4K R4 0603 1 11 贴片电阻 10K R6 R15 R21 R22 R23 R29 R31 R32 0603 8 12 贴片电阻 43.2KF R46 0603 1 13 贴片电阻 49.9KF R47 R49 0603 2 14 贴片电阻 68KF R27 0603 1 15 贴片电阻 75KF R48 0603 1 16 贴片电阻 100K R2 R16 0603 2 17 贴片电阻 220KF R17 R26 0603 2 18 贴片电阻 1M R5 R7 R18 0603 3 19 贴片电容 47P C1 C7 0603 2 20 贴片电容 103 C4 C8 C9 C13 C14 0603 5 21 贴片电容 104 C2 C5 C11 C16 C17 0603 5 22 贴片电容 226 C3 C6 C10 C12 C15 1206 5 23 贴片电感 3.6UH/3A L1 WBL076 1 24 二极管 1N4148 D1 SOD323 1 25 LED Blue D2 D3 D4 D5 D6 LED 5 26 二极管 SK34 D7 DO214 1 27 MOS 2N7002 Q2 Q5 SOT23 2 28 MOS AO3400 Q3 SOT23 1 29 MOS AO3401 Q4 SOT23 1 30 USB USB J3 USBAFRSMD1 1 31 USB_MINI USB_MINI J4 USBMINIMICRO 1 32 SWPB SWPB S1 SW7X7H 1 10.部件功能说明
上传时间： 2013-11-16
上传用户：sxdtlqqjl
