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结果 5
https://www.eeworm.com/dl/571/20512.html
模拟电子
2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性 ...
https://www.eeworm.com/dl/510/36376.html
无线通信
GPS接收机低噪声放大器方案
选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。
https://www.eeworm.com/dl/571/20480.html
模拟电子
基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最 ...
https://www.eeworm.com/dl/571/21276.html
模拟电子
高增益K波段MMIC低噪声放大器
 
基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较 ...
https://www.eeworm.com/dl/894486.html
技术资料
GaAs+MMIC宽带低相移数控衰减器芯片的研究
宽带数控衰减器是微波T/R系统中的核心电路。体积小、重量轻、可靠性高等优点使得微波单片数控衰减器已经广泛应用在军民各个领域。本文介绍了宽带数控衰减器的工作原理、电路设计以及测试技术。本数控衰减器芯片采用PHEMT材料和MMIC工艺，电路和电磁场仿真相结合的设计方法，实现高衰减精度、低附加相移 ...