600VFS结构IGBT的设计
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过和国内某知名代工线合作，完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论，然后结合代工线的特点，进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设...
P-NETARM技术资料
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查看全部869个资源 »IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly...
S32K148 T-BOX快速入门
S32K148 T-BOX快速入门CONTENTS: Get to know the S32K148 T-BOX Reference Design Board (RDB) S32K148 T-BOX RDB out-of-the-box setup Creating a new S32DS p...
wireshark抓包分析TCP和UDP
1，使用wireshark获取完整的UDP报文打开wireshark，设置监听网卡后，使用google chrome浏览器访问我腾讯微博的i http://p.t.qq.com/welcomeback.php？lv=1#！/ist/qqfriends/5/？pgv_ref-im.perinfo.pe...
大功率器件IGBT散热分析
0引言任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中，大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗，这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作，必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w，室温25℃时），必须保证1GBT的结温T，不超过其最大值T...
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