Abstract: Nonideal cable dispersive effects can affect system performance. This application note discusses the twomain loss effects related to cables (skin-effect and dielectric losses), and presents a simple method of modeling thecable for use in standard SPICE simulators.
上传时间： 2014-11-18
上传用户：wxnumen
两节锂电充电IC-ASC8512 ASC8512 为开关型两节锂聚合物电池充电管理芯片，非常适合于便携式设备的充电管理应用。ASC8512 集内置功率MOSFET、高精度电压和电流调节器、预充、充电状态指示和充电截止等功能于一体，采用TSSOP-14、SSOP-14两种封装形式。ASC8512对电池充电分为三个阶段：预充（Pre-charge）、恒流（CC／Constant Current）、恒压（CV／Constant Voltage）过程，恒流充电电流通过外部电阻决定，最大充电电流为2A.ASC8512 集成电流限制、短路保护，确保充电芯片安全工作。ASC8512 集成NTC 热敏电阻接口，可以采集、处理电池的温度信息，保证充电电池的安全工作温度。 两节锂电池充电IC ASC8512特点： 1.充2节锂离子和锂聚合物电池 2.开关频率达400K 3.充电电流最大可做2A 4.输入电压9V到18V 5.电池状态检测 6.恒压充电电压值可通过外接电阻微调 7.千分之五的充电电压控制精度 5.防反向保护电路可防止电池电流倒灌 6.NTC 热敏接口监测电池温度 7.LED充电状态指示 8.工作环境温度范围：-20℃～70℃ 9.TSSOP-14 应用领域：应用 ●手持设备，包括医疗手持设备 ●Portable-DVD，PDA，移动蜂窝电话及智能手机 ●上网本、平板电脑、MID ●自充电电池组
上传时间： 2013-11-06
上传用户：chfanjiang
Abstract: There are many things to consider when designing a power supply for a field-programmablegate array (FPGA). These include (but are not limited to) the high number of voltage rails, and thediffering requirements for both sequencing/tracking and the voltage ripple limits. This application noteexplains these and other power-supply considerations that an engineer must think through whendesigning a power supply for an FPGA.
上传时间： 2013-11-12
上传用户：金苑科技
初学者的福音
上传时间： 2013-10-30
上传用户：chenxichenyue
交流瓦特/瓦特小时，乏尔/乏尔小时转换器 特点： 精确度0.25%满刻度 多种输入,输出选择 输入与输出绝缘耐压2仟伏特/1分钟 冲击电压测试5仟伏特(1.2x50us) 突波电压测试2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小，稳定性高 主要规格： 精确度: 0.25% F.S. (23 ±5℃) 输入负载: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大过载能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 输出反应速度: < 250ms(0~90%) 输出负载能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 输出之涟波 : < 0.1% F.S. 脉波输出型态: Photocouple of open collector (max.30V/40mA) 归零调整范围: 0~±5% F.S. 最大值调整范围: 0~±10% F.S. 温度系数: 100ppm/℃ (0~50℃) 隔离特性: Input/Output/Power/Case 绝缘阻抗: >100Mohm with 500V DC 绝缘耐压能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波测试: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用环境条件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放环境条件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE认证: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上传时间： 2013-11-11
上传用户：wettetw
降低电源損耗，提高电源效率
上传时间： 2013-11-16
上传用户：angle
1.1_SHOT : 10个杂项器件,其中有54，74，CD的 2.7400~74S : 74系列的器件 3.AA_IGBT : IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET 4.AA_MISC : 杂项DIODE MOSFET ...............................
上传时间： 2013-11-03
上传用户：familiarsmile
For power electronic design
上传时间： 2014-12-24
上传用户：1234321@q
万芯元件常用MOSFET AOS替换表
标签： 万芯元件
上传时间： 2013-11-01
上传用户：comer1123
特点（FEATURES） 精确度0.1%满刻度（Accuracy 0.1%F.S.） 多种输入输出选择（Wide selection of input/output range） 三线式接线自动补偿线路阻抗效应（3 wire configuration automatically compensate line resistance effects） 宽范围交直流两用电源设计（Wide input range for auxiliary power） 尺寸小，稳定性高（Dimension small & High stability）
上传时间： 2013-10-17
上传用户：Huge_Brother
