MOSFET+IGBT
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IGBT损耗计算和损耗模型研究
IGBT损耗计算和损耗模型研究:器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模
2024-05-07
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IGBT逆变器吸收电路的研究.pdf
:在分析无吸收电路的IGBT 逆变器的基础上,研究了IGBT 逆变器的吸收问题;探讨了适合 IGBT 逆变器的几种吸收电路结构,并对其进行了仿真和实验验证。 Abstract :Based on the analysis of the ...
2023-12-05
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高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外...
2013-11-22
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开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供...
2013-11-14
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