MOSFET+IGBT

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2021-11-11 8 MOSFET+IGBT

文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程，MOS管各参数之间的联系，损耗计算及驱动电路设计，非常利于MOS管学习的启蒙.

2021-12-05 9 MOSFET+IGBT

本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。

2023-05-14 3 MOSFET+IGBT