MOS
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)。
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MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
2022-12-24
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MOS大规模集成技术 第二册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第二册.rar
2023-05-04
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MOS大规模集成技术 第一册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第一册.rar
2023-05-10
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MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。...
2013-12-09
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