AO9T，A09T三脚MOS管-无锡平芯微PW3400A芯片
标签： mos管
上传时间： 2022-04-28
上传用户：xsr1983
本文结合飞思卡尔智能车比赛，基于N沟道MOS管设计H桥电机驱动电路，给出一种利用PWM脉宽调制的方式对直流电机进行速度调控。给出用于驱动MOS管的电压泵设计电路以及PCB板制作需要注意的相关问题。
上传时间： 2022-05-03
上传用户：bluedrops
IR2104S MOS管电机驱动板ad原理图+PCB+封装库文件,ad 设计的工程文件，包括原理图及PCB印制板图，可以用Altium Designer(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。
上传时间： 2022-05-15
上传用户：fliang
该资料主要描述了MOS管的结构以及种类，还有一些常用驱动电路中的应用
上传时间： 2022-05-25
上传用户：qingfengchizhu
MOS管基础知识的阐释，非常详细具体，对于基础电路知识帮助很大。欢迎各位同学一起学习进步。
上传时间： 2022-06-04
上传用户：
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
标签： igbt
上传时间： 2022-06-20
上传用户：wangshoupeng199
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
上传用户：XuVshu
怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B）和源极（S）相连。mos和mos4能调整的属性不同，如图：本例中要设置mos管的W-0.18u，L=0.18u，选用nmos4和pmos4.<h3>布线<h3>如图1，其中，mos管Gate靠近的那一极好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加电路名称，功能（如果需要），参数设定。<h2>封装<h2>电路设计采用层次化的方式，为了上层电路的调用，往往把底层的电路做好后进行封装，其实进行封装不仅有利于上层电路调用，还有利于测试。建一个New Symbol，该Symbol里的pin的名称必须和封装电路中的一样。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type选Block，其他都保持不填。与.asc文件放入同一文件夹。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一个文件夹下即可，不需特别关联。
上传时间： 2022-06-27
上传用户：1208020161
超小封装mos管驱动器
上传时间： 2022-06-29
上传用户：jason_vip1
