MOS晶体管

N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

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适用于高频电路的晶体布局实战指南,包含布线技巧、信号完整性优化及抗干扰设计,可直接用于生产环境的PCB布局方案,经过多个项目验证的成熟实践。

2026-03-22 3 MOS晶体管

MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。...

2013-12-09 151 MOS晶体管