MOS器件全部资料 - 虫虫开发者社区

2013-10-27 146 MOS器件

MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET...

2022-03-20 4 MOS器件

文件是基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真，电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、MOS管组成的全桥电路，可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。

2022-07-19 20 MOS器件

MOS管驱动小车，内含原理图和PCB设计，使用AD软件作图。适合智能车比赛使用。

2022-08-24 5 MOS器件

2022-08-27 3 MOS器件

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

2022-12-24 3 MOS器件

MOS管工作原理及其驱动电路，驱动电路设计资料

2023-01-31 3 MOS器件

资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术第二册.rar

2023-05-04 9 MOS器件

资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术第一册.rar

2023-05-10 10 MOS器件

MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。...

2013-12-09 151 MOS器件

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