MOS全桥
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MOS管的米勒效应-讲的很详细
MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET...
2022-03-20
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MOS管被静电击穿的原因分析
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
2022-12-24
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MOS大规模集成技术 第二册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第二册.rar
2023-05-04
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MOS大规模集成技术 第一册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第一册.rar
2023-05-10
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基于软开关全桥变换器的电动汽车充电电源设计.rar
当今世界,环境污染严重,能源出现危机,机动车辆排气污染已占城市大气污染的很大比重,电动汽车作为无污染交通工具,在市场上具有很大的优越性。而电动汽车充电技术也在不断发展,不断优化。奥运临近,我国为把2008年北京奥运会办成真正的绿色奥运,将在...
2013-07-13
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隔离升压全桥DCDC变换器拓扑理论和控制技术研究.rar
隔离升压DC-DC变换器在电动汽车、储能系统、可再生能源发电以及超导储能系统等领域有广阔的应用前景。本文以隔离升压全桥变换器(Isolated Boost Full Bridge Converter,简称IBFBC)为研究对象,针对隔离升压...
2013-04-24
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