MOS+Transistor技术资料

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MOS+Transistor全部资料 (188个)

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。...

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资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术 第二册.rar...

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资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术 第一册.rar...

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MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。...

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