MOS+Transistor全部资料 - 虫虫开发者社区

MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。

2022-12-24 3 MOS+Transistor

MOS管工作原理及其驱动电路，驱动电路设计资料

2023-01-31 3 MOS+Transistor

资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术第二册.rar

2023-05-04 9 MOS+Transistor

资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试（CMOS、半导体、集成电路）->MOS大规模集成技术第一册.rar

2023-05-10 10 MOS+Transistor

MOS运算放大器-原理、设计与应用.MOS运算放大器-原理、设计与应用

2013-07-03 183 MOS+Transistor

MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。...

2013-12-09 151 MOS+Transistor

提高mos管的效率，MOS的损耗计算。

2013-12-24 147 MOS+Transistor

2013-07-17 108 MOS+Transistor

2021-10-20 10 MOS+Transistor

2017-03-13 172 MOS+Transistor

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