Lateral-IGBT

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Lateral-IGBT 热门资料

　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低...

2013-11-03 74 Lateral-IGBT

循序渐进讲解富士IGBT模块的应用与设计，涵盖IMP系列的特性与实际使用场景。适合电力电子工程师系统学习功率器件选型与优化方法。

2026-02-14 1 Lateral-IGBT

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高,...

2022-06-21 4 Lateral-IGBT