LED降压芯片
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GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片...
2022-06-25
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恒流LDO型白光LED驱动芯片的设计研究
完成了一种具有极低脱落电压（LDO）的白光LED恒流驱动芯片的设计。利用一级温度补偿和二次比例电阻分压技术在内部集成了0.75V带隙基准源，可在2.7V到7.0V的工作电压范围内提供350mA的恒定驱动电流。当环境温度从-10℃到100℃变...
2022-11-25
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DC_DC同步降压控制器中MOSFET的选择
在电源设计中，针对DC-DC同步降压控制器的MOSFET选型是关键环节。通过分析导通损耗、开关特性与热性能，可优化电路效率与稳定性，适用于高功率密度电源模块开发。
2026-02-12
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