一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在...
LDMOS技术资料
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基于ADS高效率微波功率放大器设计
基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表...
飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案
过去，RF功率的性能完全取决于线性效率。如今，开发者遇到更加复杂的挑战：需要满足多种标准、信号变化和严格的带宽要求等。针对这一问题，飞思卡尔半导体(NYSE：FSL)日前推出新型硅片RF LDMOS功...
高效率E类射频功率振荡器的设计
主要介绍了高效率E类射频功率振荡器的原理和设计方法，通过电路等效变换，E类射频功率振荡器最终转换成与E类放大器相同的结构，MOS管工作在软开关状态，漏极高电压、大电流不会同时交叠，大大降低了功率损耗，...
射频与微波晶体管功率放大器工程_张玉兴教授
成电张玉兴教授的专门阐述射频功率放大器的书籍，结合工程实践较为多些，阐述了LDMOS线性功放设计，及传统功率合成的方法以及比较流行的Doherty功放的设计都有...