L-edit简易教程
上传时间： 2013-11-21
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中文版详情浏览：http://www.elecfans.com/emb/fpga/20130715324029.html Xilinx UltraScale:The Next-Generation Architecture for Your Next-Generation Architecture The Xilinx® UltraScale™ architecture delivers unprecedented levels of integration and capability with ASIC-class system- level performance for the most demanding applications. The UltraScale architecture is the industr y's f irst application of leading-edge ASIC architectural enhancements in an All Programmable architecture that scales from 20 nm planar through 16 nm FinFET technologies and beyond, in addition to scaling from monolithic through 3D ICs. Through analytical co-optimization with the X ilinx V ivado® Design Suite, the UltraScale architecture provides massive routing capacity while intelligently resolving typical bottlenecks in ways never before possible. This design synergy achieves greater than 90% utilization with no performance degradation. Some of the UltraScale architecture breakthroughs include: • Strategic placement (virtually anywhere on the die) of ASIC-like system clocks, reducing clock skew by up to 50% • Latency-producing pipelining is virtually unnecessary in systems with massively parallel bus architecture, increasing system speed and capability • Potential timing-closure problems and interconnect bottlenecks are eliminated, even in systems requiring 90% or more resource utilization • 3D IC integration makes it possible to build larger devices one process generation ahead of the current industr y standard • Greatly increased system performance, including multi-gigabit serial transceivers, I/O, and memor y bandwidth is available within even smaller system power budgets • Greatly enhanced DSP and packet handling The Xilinx UltraScale architecture opens up whole new dimensions for designers of ultra-high-capacity solutions.
标签： UltraScale Xilinx 架构
上传时间： 2013-11-21
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磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
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检测系统的基本特性 2.1 检测系统的静态特性及指标2.1.1检测系统的静态特性 一、静态测量和静态特性静态测量：测量过程中被测量保持恒定不变（即dx/dt=0系统处于稳定状态）时的测量。静态特性（标度特性）：在静态测量中，检测系统的输出－输入特性。 例如：理想的线性检测系统： 如图2-1-1(a)所示带有零位值的线性检测系统： 如图2-1-1(b)所示 二、静态特性的校准（标定）条件――静态标准条件。 2.1.2检测系统的静态性能指标一、 测量范围和量程1、 测量范围：（xmin，xmax）xmin――检测系统所能测量到的最小被测输入量（下限）xmax――检测系统所能测量到的最大被测输入量（上限）。2、量程： 二、灵敏度S 串接系统的总灵敏度为各组成环节灵敏度的连乘积 三、 分辨力与分辨率1、分辨力：能引起输出量发生变化时输入量的最小变化量 。2、分辨率：全量程中最大的 即 与满量程L之比的百分数。四、精度（见第三章）
上传时间： 2013-11-15
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QX5305 是一款高效率，稳定可靠的高亮度LED灯驱动控制IC，内置高精度比较器，off-time控制电路，恒流驱动控制电路等，特别适合大功率，多个高亮度LED灯串恒流驱动。 QX5305采用固定off-time控制工作方式，其工作频率可高达2.5MHz，可使外部电感和滤波电容、体积减少，效率提高。 在DIM脚加PWM信号，可调节LED灯的亮度。 通过调节外置的电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，使LED灯亮度达到预期恒定亮度，流过高亮度LED灯的电流可从几毫安到2安培变化。 方框图： 管脚排列图： QX5305的特性 可编程驱动电流，最高可达2A 高效率：最高达95% 宽输入电压范围：2.5V~36V 高工作频率：2.5MHz 工作频率可调：500KHz~2.5MHz 驱动LED灯功能强：LED灯串可从1个到几十个LED高亮度灯 亮度可调：通过EN端PWM，调节LED灯亮度 QX5305应用范围 干电池供电LED灯串 LED灯杯 RGB大显屏高亮度LED灯 平板显示器LED背光灯 恒流充电器控制 通用恒流源。 工作原理简述： QX5305 采用峰值电流检测和固定off-time控制方式。片内的R-S触发器分别由off-time定时器置位和CS比较器、FB比较复位，它控制外部MOSFET管并和功率电感 L、LED、肖特基二极管共同构成一个自振荡的，连续电感电流模式的升压型恒流LED驱动电路（参见图1）。 除了固定off-time控制这点外，QX5305的工作方式和普通的电流模式PWM控制型DC/DC升压电路非常相似。当工作在连续电流模式下时，流过功率电感的电流IL如图所示：
上传时间： 2013-10-25
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16kb/s Low Delay CELP 算法
上传时间： 2015-01-03
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支持SSL v2/v3, TLS, PKCS #5, PKCS #7, PKCS #11, PKCS #12, S/MIME, X.509v3证书等安全协议或标准的开发库编译用到NSPR
上传时间： 2014-01-26
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s
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上传时间： 2013-12-19
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功能强大的一个b/s工作站
标签： 工作站
上传时间： 2014-11-26
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d Ream s Red 开发的文本编缉器
上传时间： 2013-12-18
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