MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了....
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本书系统论述DC-DC高频开关电源的工作原理与工程设计方法。主要包括:PWM变换器和软开关PWM变换器的电路拓扑、原理、控制、动态分析及稳定校正;功率开关元件MOSFET、IGBT的特性及应用;智能功率开关变换器的原理与应用;磁性元件的特性与设计计算方法;开关电源中有源功率因数校正;同步整流与并联均...
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