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InAsSb(铟砷锑)是一种重要的III-V族半导体材料,以其优异的红外探测性能而著称。广泛应用于高灵敏度红外成像、光谱分析及夜视技术等领域。其独特的能带结构使得InAsSb在长波红外区域具有极高的量子效率和低噪声特性,是开发高性能热成像系统的理想选择。深入研究InAsSb有助于推动光电转换效率的提升与新型传感器件的设计创新。探索我们精选的1个资源,开启您的专业成长之旅!

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针对室温(293 K)条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2~9 μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出现在1.656 5~8.989 μm。在光谱响应波段范围内,最大响应度值为对比组C2、C3组。初步实现了室温(293 K)使用要求,响应光谱...

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